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一方,无终点

金虫 (初入文坛)

[求助] 二氧化钒变温电阻率 已有1人参与

我是用原子层沉积方法生长VO2薄膜(未掺杂)(011 )取向。用四探针法测变温电阻率时,降温时由金属态转变为半导体态的电阻率怎么下来了(<340 K)?不合常理啊,求大神们给出合理解释!(数据是请别人测的,具体测试条件也不清楚)

二氧化钒变温电阻率
vo2.PNG
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t_ower

木虫 (正式写手)

4楼2016-01-10 01:03:00
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一方,无终点

金虫 (初入文坛)

基底是硅片(100)
2楼2016-01-06 13:21:29
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skyfly

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
多重复测几次,感觉那个电阻降低的点,变得很突然,可能是外界因素导致的吧。
云淡风轻近午天
3楼2016-01-08 18:12:50
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落絮无声11

新虫 (小有名气)

楼主在吗,我想问一下怎么用四探针测电阻啊,萌新也做二氧化钒相变

发自小木虫Android客户端
5楼2018-12-20 15:19:46
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