| 查看: 1901 | 回复: 4 | ||
[求助]
二氧化钒变温电阻率 已有1人参与
|
我是用原子层沉积方法生长VO2薄膜（未掺杂）（011 ）取向。用四探针法测变温电阻率时，降温时由金属态转变为半导体态的电阻率怎么下来了（<340 K）？不合常理啊，求大神们给出合理解释！ （数据是请别人测的，具体测试条件也不清楚） vo2.PNG |
回复此楼» 猜你喜欢
各位基础老师们，看完中央《从严治党》的决定后，对学术界更加有信心了吧
已经有5人回复
-
【长期招聘】复旦大学 AI 制药实验室 博士后招聘
已经有12人回复
-
2027博士申请-临床检验诊断学、病原生物学、微生物方向
已经有5人回复
2楼2016-01-06 13:21:29
skyfly
木虫 (著名写手)
- 应助: 15 (小学生)
- 金币: 2278.5
- 散金: 455
- 红花: 7
- 帖子: 1777
- 在线: 910.1小时
- 虫号: 582173
- 注册: 2008-07-18
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2016-01-08 18:12:50
t_ower
木虫 (正式写手)
- 应助: 6 (幼儿园)
- 金币: 1961.8
- 散金: 277
- 红花: 1
- 帖子: 578
- 在线: 132.9小时
- 虫号: 3012700
- 注册: 2014-03-03
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
4楼2016-01-10 01:03:00
落絮无声11
新虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 102.2
- 散金: 50
- 沙发: 1
- 帖子: 88
- 在线: 11小时
- 虫号: 6957141
- 注册: 2017-07-16
- 性别: GG
- 专业: 催化化学
5楼2018-12-20 15:19:46