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audrey380104

银虫 (小有名气)

[求助] 如何加工25nm宽的纳米沟道 已有4人参与

大家好，我现在想在SiO2或者Si上加工规则整齐的竖直向下的纳米沟道，如下图所示：
方法可以是电子束曝光（EBL）或者聚焦离子束(FIB)加工，最好是EBL。由于之前没有亲自操作过EBL，所以对于加工只有25nm左右宽度的沟道不太了解。看文献上说这之中会遇到诸如邻近效应等的影响，知道了可以通过调节曝光和刻蚀过程中的各项参数来尽量修正临近效应。请大家给我点意见和建议，关于怎么较好的制备出这样的纳米沟道。谢谢

如何加工25nm宽的纳米沟道
nanotrench.png
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贵有恒，何必三更眠五更起；最无益，只怕一日曝十日寒。
1楼 2015-12-24 04:43:55
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audrey380104

银虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by yswyx at 2015-12-25 13:41:23
2：1就已经很难了，10：1不可能。侧刻会把你的结构吃光的。
RIE肯定不行，ICP或者DRIE也很难。
你这个设计高宽比是硬伤。而且垂直度也是没办法做到的一个陷阱。
至于光刻，别想了，只有EBL适合。麻烦的是，找一 ...

崩溃。。。还没做就被你说疯了。没办法，最后可能还是得自己摸索。你觉得用PMMA可行吗
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贵有恒，何必三更眠五更起；最无益，只怕一日曝十日寒。
13楼2015-12-26 06:07:52
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苏州MEMS

禁虫 (小有名气)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
2楼2015-12-24 09:41:14
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gzj99154037

新虫 (正式写手)
可能要换深紫外设备。。。

[ 发自小木虫客户端 ]
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3楼2015-12-24 10:33:12
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audrey380104

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 苏州MEMS at 2015-12-24 09:41:14
临近效应的补偿你看看文献就可以了，不过现在好一点的电子束，临近效应就已经有很大的改善了，如果你是氧化硅或者硅衬底来选择的话，推荐硅衬底，导电性对电子束的影响很大的；你的结构深宽比在2:1~10:1；不知你最终 ...

您好，谢谢回复！我可能需要做一系列这样的沟道，所以在2：1~10：1之间都是可能的，甚至有可能还会超出，刻蚀设备可能也不是处于很新的状态。您觉得摸索这个一系列的工艺难度大吗
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贵有恒，何必三更眠五更起；最无益，只怕一日曝十日寒。
4楼2015-12-24 11:31:37
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