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audrey380104银虫 (小有名气)
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[求助]
如何加工25nm宽的纳米沟道 已有4人参与
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大家好，我现在想在SiO2或者Si上加工规则整齐的竖直向下的纳米沟道，如下图所示： 方法可以是电子束曝光（EBL）或者聚焦离子束(FIB)加工，最好是EBL。由于之前没有亲自操作过EBL，所以对于加工只有25nm左右宽度的沟道不太了解。看文献上说这之中会遇到诸如邻近效应等的影响，知道了可以通过调节曝光和刻蚀过程中的各项参数来尽量修正临近效应。请大家给我点意见和建议，关于怎么较好的制备出这样的纳米沟道。谢谢    nanotrench.png |
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yswyx 
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【答案】应助回帖
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audrey380104: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-12-26 06:08:16
感谢参与，应助指数 +1
audrey380104: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-12-26 06:08:16
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2：1就已经很难了，10：1不可能。侧刻会把你的结构吃光的。 RIE肯定不行，ICP或者DRIE也很难。 你这个设计高宽比是硬伤。而且垂直度也是没办法做到的一个陷阱。 至于光刻，别想了，只有EBL适合。麻烦的是，找一款合适的光刻胶会很麻烦，因为你这个要干刻，要能抗得住刻蚀，最好是HSQ，但这个胶用起来相当麻烦。你要自己做的话，光摸条件和准备材料就会疯的，最好找成熟的实验室做。 |
11楼2015-12-25 13:41:23
感谢参与，应助指数 +1
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2楼2015-12-24 09:41:14
3楼2015-12-24 10:33:12
audrey380104
银虫 (小有名气)
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4楼2015-12-24 11:31:37
