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什么设备长二氧化硅质量好且厚度可控(超材料介质层) 已有2人参与
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大家好~ 我想要在金上长二氧化硅,需要致密性好一些,厚需要20㎚,长出来差别在1-2nm以内,请问什么设备比较适合? 有电子束蒸发:100℃,老师说厚度可控,均匀,但是质量不太好。 PECVD:致密,均匀性不如电子束蒸发,厚度也难控制。 还有就是ICPCVD:这个温度也低,长的估计也不好。厚度比PECVD可调一些。 二氧化硅是用作超材料的介质层。 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
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franckchen
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10楼2015-12-17 09:45:16
niusj
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2楼2015-12-15 17:57:16
3楼2015-12-15 18:56:02
niusj
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4楼2015-12-15 19:39:54













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