| 查看: 818 | 回复: 1 | |||
[求助]
单晶硅Si-Si键断裂问题
|
|
背景：当采用化学湿法腐蚀单晶硅时，截止面为111面，采用键断裂吸收能量的方法对这一现象予以解释。 问题：单晶硅沿100面、110面、111面时，可视为分别有几个Si-Si键断裂呢？求大神解释。 |
回复此楼» 猜你喜欢
湖南工业大学周贵寅组招生物医学工程（学硕07、08都行）、生物与医药（专硕08）硕士生
已经有0人回复
-
湖南工业大学周贵寅组招生物医学工程（学硕07、08都行）和生物与医药（专硕08）硕士生
已经有0人回复
-
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有278人回复
-
考研求调剂
已经有0人回复
-
2026年中南民族大学化学与材料科学学院调剂公告
已经有40人回复
-
武汉纺织大学招生物材料、化学、高分子相关专业硕士生
已经有0人回复
-
武汉纺织大学招生物材料、化学、高分子相关专业硕士生-另有少量士兵计划可咨询
已经有0人回复
-
[武汉纺织大学]材料学院[姜伟团队名称]课题组-2026年硕士研究生调剂信息
已经有0人回复
-
中国科学院·过程工程研究所·招聘海内外高层次人才---过程所“百人计划”
已经有0人回复
-
中国科学院·过程工程研究所·招聘海内外高层次人才---过程所“百人计划”
已经有5人回复
-
2026考博自荐
已经有4人回复
2楼2015-12-17 11:35:38