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单晶硅Si-Si键断裂问题
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背景：当采用化学湿法腐蚀单晶硅时，截止面为111面，采用键断裂吸收能量的方法对这一现象予以解释。 问题：单晶硅沿100面、110面、111面时，可视为分别有几个Si-Si键断裂呢？求大神解释。 |
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2楼2015-12-17 11:35:38