| 查看: 846 | 回复: 1 | ||
[求助]
单晶硅Si-Si键断裂问题
|
|
背景:当采用化学湿法腐蚀单晶硅时,截止面为111面,采用键断裂吸收能量的方法对这一现象予以解释。 问题:单晶硅沿100面、110面、111面时,可视为分别有几个Si-Si键断裂呢?求大神解释。 |
» 猜你喜欢
PDMS膜在溶液中的离子透过率
已经有0人回复
攒人品 论文祈福
已经有139人回复
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有283人回复
science advances的AAAS系统上返修
已经有0人回复
science advances的AAAS系统上返修问题
已经有2人回复
LDPE黑十字为什么那么大
已经有0人回复
西南交通大学医学院2027年接收推荐免试攻读研究生(含直博生)
已经有159人回复
西南交通大学医学院2027年接收推荐免试攻读研究生(含直博生)
已经有159人回复
西南交通大学医学院2027年接收推荐免试攻读研究生(含直博生)
已经有157人回复
西南交通大学医学院2027年接收推荐免试攻读研究生(含直博生)
已经有152人回复
博士申请
已经有14人回复
2楼2015-12-17 11:35:38










回复此楼
20