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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 性能应用 » 如果用磁控溅射过载功率提高溅射速率，会对溅射源或者溅射台有什么影响么？
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467111170

银虫 (初入文坛)

[求助] 如果用磁控溅射过载功率提高溅射速率，会对溅射源或者溅射台有什么影响么？ 已有1人参与

如果磁控溅射金属，提高功率，会有什么危害，应该从哪方面考虑？
1. 设备硬件方面，可能会有因功率过大引起的靶材熔掉，这个会对溅射源和磁场什么的有影响吗？
2. 从成膜质量上看，膜质会致密，反射率会高，膜层与基片的接触会变好，其他会有什么影响么？尤其是变坏的参数。
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1楼 2015-11-20 17:49:21
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caiyazhi

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

单纯提高靶功率对靶体设计有要求，需要冷却到位，功率越大溅射产能越大，冷却不好对磁场有影响，在同等偏压前提下，提高溅射功率会增加涂层的应力，一定条件下会改变薄膜生长方向，不是单纯的越大越好，会存在一个峰值，之后就是下降。
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浮躁的社会更需要冷静
2楼2015-12-04 21:10:20
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