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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 量子化学 » Gaussian » gaussian激发态计算出错，求帮助
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cug_zhang

金虫 (正式写手)

[求助] gaussian激发态计算出错，求帮助已有1人参与

大家好，我使用gaussion计算AgSi3- （参考JCP 138，244312（2012） Photoelectron spectroscopy and density functional calculations of AgSin − (n = 3–12)
clusters）。我刚开始按照文章中的AgSi3- 结构画构型，使用opt freq rb3lyp/genecp geom=connectivity  scf=maxcycle=800计算，出错提示坐标错误，后来我使用opt=Cartesian freq rb3lyp/genecp geom=connectivity  scf=maxcycle=800，可以得到和文章一样的对称性与电子态。然后我提取out文件另存为gjf文件，提取其中的坐标，想计算激发态，但是总出错，提示赝势基组输入有问题。我仔细检查了，可是看不出哪里写错了，附件中有AgSi3-的结构优化输入与输出文件、AgSi3-优化后的坐标提取文件。请高手指点一下，两个输入文件如下所示：

1、AgSi3- 的结构优化输入文件
%chk=AgSi3c2vanionic.chk
%nprocs=8
%mem=16GB
# opt=Cartesian freq rb3lyp/genecp geom=connectivity  scf=maxcycle=800

1 Energy

-1 1
Si                 0.00000000    0.00000000    0.00000000
Si                 0.00000000    0.00000000    1.95795665
Si                 1.42468854    0.00000000    0.97897833
Ag                -1.35212438    0.00000000    0.97897832

1
2
3
4

Si  0
6-311+g(3df)
****
Ag     0
S   3   1.00
      2.9500000             -1.7910564        
      2.1490000              2.0244570        
      0.6684000              0.6072839        
S   4   1.00
      2.9500000              1.0141125        
      2.1490000             -1.2413971        
      0.6684000             -0.4901427        
      0.0997000              1.1128375        
S   1   1.00
      0.0347000              1.0000000        
P   3   1.00
      6.5530000             -0.1079117        
      1.5650000              0.7403645        
      0.5748000              0.3721008        
P   2   1.00
      0.9085000             -0.0418371        
      0.0833000              1.0087586        
P   1   1.00
      0.0252000              1.0000000        
D   3   1.00
      3.3910000              0.1396938        
      1.5990000              0.4744421        
      0.6282000              0.5156311        
D   1   1.00
      0.2108000              1.0000000        
****

AG     0
AG-ECP     3     28
f-ul potential
  5
0    568.7006237             -0.0587930        
1    162.3579066            -20.1145146        
2     51.1025755           -104.2733114        
2     16.9205822            -40.4539787        
2      6.1669596             -3.4420009        
s-ul potential
  5
0     76.0974658              2.9861527        
1     15.3327359             35.1576460        
2     18.7715345            450.1809906        
2     13.3663294           -866.0248308        
2      9.8236948            523.1110176        
p-ul potential
  5
0     56.3318043              4.9640671        
1     69.0609098             21.5028219        
2     19.2717998            546.0275453        
2     12.5770654           -600.3822556        
2      8.7956670            348.2949289        
d-ul potential
  5
0     53.4641078              3.0467486        
1     40.1975457             23.3656705        
2     11.9086073            777.2540117        
2      9.7528183          -1238.8602423        
2      8.1788997            608.0677121        

****

Ag  0
lanl2dz ecp

计算结果没有问题。

2、AgSi3- 的激发态输入文件
%chk=AgSi3neutral3.chk
%nprocs=8
%mem=16GB
# ub3lyp/genecp td=(nstates=40)

1 Energy

0 4
Si                 0.00000000    1.34281900   -0.86117100
Si                 0.00000000   -1.34281900   -0.86117100
Si                 0.00000000    0.00000000   -2.68281600
Ag                 0.00000000    0.00000000    1.31217400

1
2
3
4

Si  0
6-311+g(3df)
****
Ag     0
S   3   1.00
      2.9500000             -1.7910564        
      2.1490000              2.0244570        
      0.6684000              0.6072839        
S   4   1.00
      2.9500000              1.0141125        
      2.1490000             -1.2413971        
      0.6684000             -0.4901427        
      0.0997000              1.1128375        
S   1   1.00
      0.0347000              1.0000000        
P   3   1.00
      6.5530000             -0.1079117        
      1.5650000              0.7403645        
      0.5748000              0.3721008        
P   2   1.00
      0.9085000             -0.0418371        
      0.0833000              1.0087586        
P   1   1.00
      0.0252000              1.0000000        
D   3   1.00
      3.3910000              0.1396938        
      1.5990000              0.4744421        
      0.6282000              0.5156311        
D   1   1.00
      0.2108000              1.0000000        
****

AG     0
AG-ECP     3     28
f-ul potential
  5
0    568.7006237             -0.0587930        
1    162.3579066            -20.1145146        
2     51.1025755           -104.2733114        
2     16.9205822            -40.4539787        
2      6.1669596             -3.4420009        
s-ul potential
  5
0     76.0974658              2.9861527        
1     15.3327359             35.1576460        
2     18.7715345            450.1809906        
2     13.3663294           -866.0248308        
2      9.8236948            523.1110176        
p-ul potential
  5
0     56.3318043              4.9640671        
1     69.0609098             21.5028219        
2     19.2717998            546.0275453        
2     12.5770654           -600.3822556        
2      8.7956670            348.2949289        
d-ul potential
  5
0     53.4641078              3.0467486        
1     40.1975457             23.3656705        
2     11.9086073            777.2540117        
2      9.7528183          -1238.8602423        
2      8.1788997            608.0677121        

****

Ag  0
lanl2dz ecp

计算出错，提示：
General basis read from cards:  (5D, 7F)
QPErr --- A syntax error was detected in the input line.
2
  '
Last state="NG"
TCursr= 1629 LCursr=    1
Error reading general basis specification.
Error termination via Lnk1e in /public/home/zhangshuai/g09/l301.exe at Wed Nov 18 10:24:32 2015.
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    • 2015-11-18 10:10:02, 290.35 K
  • 附件 2 : AgSi3-.rar
    • 2015-11-18 10:13:39, 26.45 K

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1楼2015-11-18 10:11:53
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小范范1989

木虫 (著名写手)
我不太懂这个你自己定义的机组部分哈，你为什么要自己定义，有特出的计算要求？
是不是你基态这样定义可以，但是激发他就不行了？因为出现了General basis read from cards:  (5D, 7F) 出错。
我不太懂哈，坐等高手指点
赞一下 回复此楼
It doesn't matter how slow you are, as long as you're determined to get there, you'll get there.
2楼2015-11-18 10:38:05
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cug_zhang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 小范范1989 at 2015-11-18 10:38:05
我不太懂这个你自己定义的机组部分哈，你为什么要自己定义，有特出的计算要求？
是不是你基态这样定义可以，但是激发他就不行了？因为出现了General basis read from cards:  (5D, 7F) 出错。
我不太懂哈，坐等高 ...

计算AgSi3我使用了混合基组，其中A股使用赝势基组，Si使用6-311+g(3df)。Ag使用的基组是从基组网站下载的，不是自定义的。
赞一下 回复此楼
3楼2015-11-18 15:38:26
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枪下游魂

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
cug_zhang: 金币+20, ★★★很有帮助, 很好的解决问题 2015-11-19 09:01:39
细节！一定要注意细节！
删除分子坐标下1,2,3,4四行即可计算，因为你的命令行删除了geom=connectivity。
删除后请再次确认下哪里该空行哪里不该空行。
新手请从最基本的输入文件开始学起，拉起来就做这种一推附加输入的我是不推荐的。。。
另外有一个问题想请教下，为什么基态的电荷和多重度是-1,1，到了激发态就变成了0,4了？难道到了激发态此分子自动失去了一个电子？
赞一下 回复此楼
4楼2015-11-19 07:26:04
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cug_zhang

金虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 枪下游魂 at 2015-11-19 07:26:04
细节！一定要注意细节！
删除分子坐标下1,2,3,4四行即可计算，因为你的命令行删除了geom=connectivity。
删除后请再次确认下哪里该空行哪里不该空行。
新手请从最基本的输入文件开始学起，拉起来就做这种一推附加 ...

谢谢你的指点。确实是我没注意到这里。我是先优化计算AgSi3-的结构与能量，它的电荷与多重态是-1，2；然后我在优化结构的基础上计算中性结构多重态分别为2，4的能量，上面我只贴出了中性结构4重态的输入文件。
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5楼2015-11-19 09:04:56
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