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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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Tao9186

银虫 (初入文坛)

[求助] CVD沉积温度 已有2人参与

CVD中一般说的沉积温度是指气体温度还是基片温度?
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cherry1226

新虫 (职业作家)

引用回帖:
4楼: Originally posted by Tao9186 at 2015-11-17 19:17:19
我不是做外延的,是做多晶薄膜的,最近看了几篇PECVD长氮化硅的文章,了解以下,谢谢!...

pecvd一般温度比较低,有些人会用lift-off来做氮化硅薄膜的图形化,所以对温度要求就很可以苛刻,所以累积温度一般不会超过110℃,当然温度越高生长速度越快,薄膜也越致密

发自小木虫IOS客户端
8楼2021-02-13 02:49:41
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guxue

专家顾问 (知名作家)

学习使人进步

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Tao9186: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-11-17 19:17:50
一般指的都是衬底即基片温度。
青出于蓝而胜于蓝
2楼2015-11-17 10:20:18
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yousyunnsei

捐助贵宾 (职业作家)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
一般是指基片温度,也就是衬底温度。你是做什么外延?
使人成熟的不是岁月,而是经历。
3楼2015-11-17 18:23:24
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Tao9186

银虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yousyunnsei at 2015-11-17 18:23:24
一般是指基片温度,也就是衬底温度。你是做什么外延?

我不是做外延的,是做多晶薄膜的,最近看了几篇PECVD长氮化硅的文章,了解以下,谢谢!
4楼2015-11-17 19:17:19
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