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Now or Never

新虫 (初入文坛)

[求助] vasp 2维材料优化问题 已有1人参与

请教各位虫友用vasp进行二维材料结构优化的时候各项参数是怎样设置的?
我弄了一个BiOX晶体,把两层之间距离拉大到40A, INCAR文件设置ISIF = 3,
结果一优化40A很快就缩小到12A去了,再缩小就又变回三维结构了...
如果设置ISIF = 2,让VOLUME固定的话又回收敛不了。
望各位多多指教。
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yu1425404417

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by stractor at 2015-11-19 02:26:55
ISIF=3是胞的形状也可变,那样真空层厚度就会改变...

你好,我也想问一下这个问题。但是要保证z方向的真空层不变。进行不同体积能量的计算时POSCAR应该怎么修改,如:
MoS2 monolayer11
1.0
        3.2002999783         0.0000000000         0.0000000000
       -1.6001499891         2.7715410809         0.0000000000
        0.0000000000         0.0000000000        20.0902996063
   Mo    S
    1    2
Cartesian
     1.600165963         0.923837841         3.545134306
    -0.000015974         1.847703338         5.090279102
    -0.000015974         1.847703338         1.999989390

如果改变第二行的1.0的数值,那样z方向也会发生改变的。
努力就会有收获
18楼2017-12-20 16:57:59
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查看全部 20 个回答

stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
Now or Never: 金币+5 2015-11-17 20:40:57
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:49
ISIF = 3不合理,采用ISIF = 2,EOS确定晶格常数
2楼2015-11-17 02:59:10
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未岸亡灵

铁杆木虫 (著名写手)

暂时离开小木虫


【答案】应助回帖

★
感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:54
修改constr_cell_relax.F这个文件,重新编译vasp,就可以使z方向不受力了。constr_cell_relax.F文件修改如下:
  SUBROUTINE CONSTR_CELL_RELAX(FCELL)
      USE prec
      REAL(q) FCELL(3,3)

!     just one simple example
!     relaxation in x directions only
!      SAVE=FCELL(1,1)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(1,1)=SAVE
!     relaxation in z direction only
!      SAVE=FCELL(3,3)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(3,3)=SAVE
          FCELL(3,3)=0

      RETURN
      END SUBROUTINE
3楼2015-11-17 08:21:31
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Now or Never

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2015-11-17 02:59:10
ISIF = 3不合理,采用ISIF = 2,EOS确定晶格常数

EOS 是什么?为什么ISIF = 3 不行呢
4楼2015-11-17 11:00:08
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