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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp 2维材料优化问题
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Now or Never

新虫 (初入文坛)

[求助] vasp 2维材料优化问题已有1人参与

请教各位虫友用vasp进行二维材料结构优化的时候各项参数是怎样设置的？
我弄了一个BiOX晶体，把两层之间距离拉大到40A, INCAR文件设置ISIF = 3,
结果一优化40A很快就缩小到12A去了，再缩小就又变回三维结构了...
如果设置ISIF = 2,让VOLUME固定的话又回收敛不了。
望各位多多指教。
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1楼2015-11-16 23:06:37
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Now or Never: 金币+5 2015-11-17 20:40:57
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:49
ISIF = 3不合理，采用ISIF = 2，EOS确定晶格常数
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2楼2015-11-17 02:59:10
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未岸亡灵

铁杆木虫 (著名写手)

暂时离开小木虫

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:54
修改constr_cell_relax.F这个文件，重新编译vasp，就可以使z方向不受力了。constr_cell_relax.F文件修改如下：
  SUBROUTINE CONSTR_CELL_RELAX(FCELL)
      USE prec
      REAL(q) FCELL(3,3)

!     just one simple example
!     relaxation in x directions only
!      SAVE=FCELL(1,1)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(1,1)=SAVE
!     relaxation in z direction only
!      SAVE=FCELL(3,3)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(3,3)=SAVE
          FCELL(3,3)=0

      RETURN
      END SUBROUTINE
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3楼2015-11-17 08:21:31
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stractor

金虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Now or Never at 2015-11-17 11:00:08
EOS 是什么？为什么ISIF = 3 不行呢...

ISIF=3是胞的形状也可变，那样真空层厚度就会改变
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8楼2015-11-19 02:26:55
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普通回帖

Now or Never

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2015-11-17 02:59:10
ISIF = 3不合理，采用ISIF = 2，EOS确定晶格常数

EOS 是什么？为什么ISIF = 3 不行呢
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4楼2015-11-17 11:00:08
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Now or Never

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 未岸亡灵 at 2015-11-17 08:21:31
修改constr_cell_relax.F这个文件，重新编译vasp，就可以使z方向不受力了。constr_cell_relax.F文件修改如下：
  SUBROUTINE CONSTR_CELL_RELAX(FCELL)
      USE prec
      REAL(q) FCELL(3,3)

!     just  ...

多谢了，我试试
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5楼2015-11-17 11:01:10
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未岸亡灵

铁杆木虫 (著名写手)

暂时离开小木虫

【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:22:01
引用回帖:
5楼: Originally posted by Now or Never at 2015-11-17 11:01:10
多谢了，我试试...

这个方法会麻烦些，2楼的方法应该也可行的
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6楼2015-11-17 11:57:07
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castorpollux

至尊木虫 (初入文坛)
ISIF=4，保持晶胞体积不变，优化晶胞形状
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veni,vidi,vici
7楼2015-11-18 00:12:20
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Ireson

银虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by stractor at 2015-11-19 02:26:55
ISIF=3是胞的形状也可变，那样真空层厚度就会改变...

请问一下，做E-V曲线改变晶格常数时，是不是也需要保持真空层的距离不变，只是同时同比例地改变其他方向的晶格常数？比如a、b、c（c是真空层厚度），做E-V曲线时，保持c不变，a和b同时变大和变小。每一组a和b中，ISIF=2
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9楼2016-01-04 11:05:44
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huisheng

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by Ireson at 2016-01-04 11:05:44
请问一下，做E-V曲线改变晶格常数时，是不是也需要保持真空层的距离不变，只是同时同比例地改变其他方向的晶格常数？比如a、b、c（c是真空层厚度），做E-V曲线时，保持c不变，a和b同时变大和变小。每一组a和b中，I ...

我想问能不能直接在POTCAR中用selective dynamic 限定原子在某个方向上运动。

发自小木虫Android客户端
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热爱生活，热爱学习
10楼2016-04-22 23:01:47
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