应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » vasp 2维材料优化问题
201/2返回列表12下一页
查看: 5983  |  回复: 19
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

Now or Never

新虫 (初入文坛)

[求助] vasp 2维材料优化问题 已有1人参与

请教各位虫友用vasp进行二维材料结构优化的时候各项参数是怎样设置的？
我弄了一个BiOX晶体，把两层之间距离拉大到40A, INCAR文件设置ISIF = 3,
结果一优化40A很快就缩小到12A去了，再缩小就又变回三维结构了...
如果设置ISIF = 2,让VOLUME固定的话又回收敛不了。
望各位多多指教。
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

第一性原理相关文档 第一性原理计算-tg vasp计算资料

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2015-11-16 23:06:37
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
Now or Never: 金币+5 2015-11-17 20:40:57
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:49
ISIF = 3不合理，采用ISIF = 2，EOS确定晶格常数
赞一下(3人) 回复此楼
2楼2015-11-17 02:59:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

未岸亡灵

铁杆木虫 (著名写手)

暂时离开小木虫

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:21:54
修改constr_cell_relax.F这个文件，重新编译vasp，就可以使z方向不受力了。constr_cell_relax.F文件修改如下：
  SUBROUTINE CONSTR_CELL_RELAX(FCELL)
      USE prec
      REAL(q) FCELL(3,3)

!     just one simple example
!     relaxation in x directions only
!      SAVE=FCELL(1,1)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(1,1)=SAVE
!     relaxation in z direction only
!      SAVE=FCELL(3,3)
!      FCELL=0   ! F90 style: set the whole array to zero
!      FCELL(3,3)=SAVE
          FCELL(3,3)=0

      RETURN
      END SUBROUTINE
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2015-11-17 08:21:31
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stractor

金虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Now or Never at 2015-11-17 11:00:08
EOS 是什么？为什么ISIF = 3 不行呢...

ISIF=3是胞的形状也可变，那样真空层厚度就会改变
赞一下(1人) 回复此楼
8楼2015-11-19 02:26:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
普通回帖

Now or Never

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by stractor at 2015-11-17 02:59:10
ISIF = 3不合理，采用ISIF = 2，EOS确定晶格常数

EOS 是什么？为什么ISIF = 3 不行呢
赞一下 回复此楼
4楼2015-11-17 11:00:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Now or Never

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 未岸亡灵 at 2015-11-17 08:21:31
修改constr_cell_relax.F这个文件，重新编译vasp，就可以使z方向不受力了。constr_cell_relax.F文件修改如下：
  SUBROUTINE CONSTR_CELL_RELAX(FCELL)
      USE prec
      REAL(q) FCELL(3,3)

!     just  ...

多谢了，我试试
回复此楼
5楼2015-11-17 11:01:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

未岸亡灵

铁杆木虫 (著名写手)

暂时离开小木虫

【答案】应助回帖

★
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:22:01
引用回帖:
5楼: Originally posted by Now or Never at 2015-11-17 11:01:10
多谢了，我试试...

这个方法会麻烦些，2楼的方法应该也可行的
赞一下 回复此楼
6楼2015-11-17 11:57:07
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

castorpollux

至尊木虫 (初入文坛)
ISIF=4，保持晶胞体积不变，优化晶胞形状
赞一下 回复此楼
veni,vidi,vici
7楼2015-11-18 00:12:20
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Ireson

银虫 (正式写手)
引用回帖:
8楼: Originally posted by stractor at 2015-11-19 02:26:55
ISIF=3是胞的形状也可变，那样真空层厚度就会改变...

请问一下，做E-V曲线改变晶格常数时，是不是也需要保持真空层的距离不变，只是同时同比例地改变其他方向的晶格常数？比如a、b、c（c是真空层厚度），做E-V曲线时，保持c不变，a和b同时变大和变小。每一组a和b中，ISIF=2
赞一下 回复此楼
9楼2016-01-04 11:05:44
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

huisheng

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
9楼: Originally posted by Ireson at 2016-01-04 11:05:44
请问一下，做E-V曲线改变晶格常数时，是不是也需要保持真空层的距离不变，只是同时同比例地改变其他方向的晶格常数？比如a、b、c（c是真空层厚度），做E-V曲线时，保持c不变，a和b同时变大和变小。每一组a和b中，I ...

我想问能不能直接在POTCAR中用selective dynamic 限定原子在某个方向上运动。

发自小木虫Android客户端
赞一下 回复此楼
热爱生活，热爱学习
10楼2016-04-22 23:01:47
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 Now or Never 的主题更新
201/2返回列表12下一页
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭