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alexissp

金虫 (正式写手)

干活的

[交流] 【求助】急需知道常用导电衬底Si/SiO2/TiO2/Pt的制备工艺

求助:急需知道常用导电衬底Si/SiO2/TiO2/Pt的制备工艺:譬如说(1)单晶Si上制备SiO2层的温度和时间,形成SiO2的厚度多少合适?(2)磁控溅射TiO2层需要衬底的温度,需要TiO2层的厚度通常为多少?SiO2层和TiO2层共烧温度和时间?(3)最后Pt层的厚度和烧结温度?谢谢!

[ Last edited by NJUT_tiger on 2008-9-9 at 15:53 ]
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简单充实
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大笨猪和聪明羊

荣誉版主 (职业作家)


alexissp(金币+1,VIP+0):谢谢,想要得到更详细的参数
一般SiO2厚度在500纳米以内,Pt厚度在160纳米左右(每10纳米60块钱)。

至于制备时的具体参数,你查查文献吧。
大步向前
2楼2008-09-08 21:27:03
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alexissp

金虫 (正式写手)

干活的

SiO2的厚度有没有下限?还有TiO2层一般多厚?谢谢
简单充实
3楼2008-09-09 13:50:09
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