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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » binding energy和PL中谱峰位置有什么关系？
汕头大学海洋科学接受调剂
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thegarfield

铁杆木虫 (著名写手)

[求助] binding energy和PL中谱峰位置有什么关系？ 已有1人参与

看文献时发现，对于半导体中参杂元素
If we assume a bound exciton binding energy of - 3 meV then the 0.795 eV peak would be separated from the band edge by 6 meV. The effective mass donor binding energy in In0.53 Ga.0.47 As is 3 meV; however, from luminescence measurements a binding energy of -7 meV is deduced.  We therefore assign the 0.795 eV peak to a donor-to-valence band transition.？
之前也有文献中谈到过C、Zn等掺杂元素的binding energy，但是一直没搞清楚binding energy和PL谱有什么关系，PL中峰位是怎么确定出来的？

求大神指导呀！！！不甚感激！！！
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1楼 2015-10-14 10:25:16
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thegarfield

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 知不道小孩 at 2015-10-18 14:39:21
没有直接的关系，依我的理解，结合能的测定用的是XPS，那是可以测定材料中元素价态和相对含量的，也就是说材料中存在一些缺陷，是能够通过XPS推断出来的，所以现在很多研究缺陷发光的文章会用的XPS，就是为了辅助说 ...

谢谢，哥们，能否推荐我几篇这样的文章？半导体材料相关的
再次谢谢
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3楼2015-10-19 11:09:28
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知不道小孩

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
thegarfield: 金币+10, ★★★很有帮助 2015-10-19 11:09:41
没有直接的关系，依我的理解，结合能的测定用的是XPS，那是可以测定材料中元素价态和相对含量的，也就是说材料中存在一些缺陷，是能够通过XPS推断出来的，所以现在很多研究缺陷发光的文章会用的XPS，就是为了辅助说明这些缺陷的发光是由什么类型的发光导致的，而且关于缺陷，现在也有很多是属于猜测阶段，因为研究起来相当有困难
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2楼2015-10-18 14:39:21
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知不道小孩

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by thegarfield at 2015-10-19 11:09:28
谢谢，哥们，能否推荐我几篇这样的文章？半导体材料相关的
再次谢谢...

我以前做过这方面的研究，现在都没有了，你去谷歌上搜关键词，defect, fluorescence。你就能找到一些相关的，那些材料基本上是半导体，跟里面的空穴电子对，还有一些空位缺陷啊，乱七八糟的一些东西，好好研究吧
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4楼2015-10-19 18:36:52
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