| 查看: 631 | 回复: 0 | ||
thegarfield铁杆木虫 (著名写手)
|
[求助]
半导体中掺杂元素的binding energy和PL中谱峰位置有什么关系？或者说复合机理
|
|
关于半导体中的PL和掺杂元素的binding energy的关系！ 看文献时发现，对于半导体中参杂元素 If we assume a bound exciton binding energy of - 3 meV then the 0.795 eV peak would be separated from the band edge by 6 meV. The effective mass donor binding energy in In0.53 Ga.0.47 As is 3 meV; however, from luminescence measurements a binding energy of -7 meV is deduced. We therefore assign the 0.795 eV peak to a donor-to-valence band transition.？ 之前也有文献中谈到过C、Zn等掺杂元素的binding energy，但是一直没搞清楚binding energy和PL谱有什么关系，PL中峰位是怎么确定出来的？ 求大神指导呀！！！不甚感激！！！ |
回复此楼» 猜你喜欢
考研调剂
已经有12人回复
-
材料调剂
已经有9人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有296人回复
-
有没有友友懂埃洛石复合聚合物电解质呀
已经有1人回复
-
新加坡南洋理工大学NTU诚招电池相关方向博后
已经有26人回复
-
800摄氏度下薄膜电导率测量
已经有2人回复
-
九水硝酸铁作为碳前驱体石墨化催化剂的制备求助
已经有0人回复
-
碳材料在水中无法分散，如何在不改性的情况下使其在水中均匀分散
已经有2人回复
-
北京师范大学珠海校区｜材料计算/第一性原理/极端条件材料｜招收博士生1-2名
已经有0人回复
-
山东大学晶体材料全国重点实验室招收2027年锂金属电池负极材料博士一名
已经有104人回复