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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 【求助】如何在硅基片上生长二氧化硅?
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Abskk

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】如何在硅基片上生长二氧化硅?

想在单晶硅(100)基片上生长二氧化硅,用普通的加热电阻炉可以吗?

若可以，是不是加热在1050度比较合适?时间跟加热速度该如何选择?文献讲,10nm的二氧化硅生长很快，普通的电阻炉很难精确控制其厚度,作为其他薄膜的缓冲或过度层,多厚比较合适?这个合适的厚度应该加热多长时间(升温速度及保温时间\加热温度)?

如这种热生长的方法不行, 该用什么方法比较合适?

向大家请教?

[ Last edited by SHY31 on 2008-9-5 at 16:37 ]
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广泛联系的世界~
1楼 2008-09-04 20:47:56
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nini_chen

银虫 (小有名气)
真空镀膜应该能实现，但是厚度控制10nm有点困难，太薄了
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5楼2008-09-08 10:06:16
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wanglurong1985

金虫 (正式写手)
在硅表面通过热氧化精确的生长一定厚度的SiO2是非常困难的，普通的炉子恐怕是不行的，10nm？那就更困难了！
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2楼2008-09-05 15:53:48
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hnzzuman

金虫 (正式写手)
★
SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流
用微电子制造过程中的一个工艺呀
可以控制的
现在的栅氧化层厚度差不多就是在几个纳米的尺度！
具体用什么炉子，我也不清楚，反正就是用的热氧化的方法！
如果有条件，可以让中芯国际代做，当然费用比较高吧，我想，因为对硅片表面要求很高！
赞一下(10人) 回复此楼
概当以慷，忧思难忘。何以解忧？唯有杜康。
3楼2008-09-07 19:26:33
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stardom427

木虫 (著名写手)
★
Abskk(金币+1,VIP+0):如果不通入氧气，而是普通空气可以吗？一般时间是多长？比如要做到5nm.
可以，达到温度且有氧气就可以。。。。

700多度就可以氧化了，，，不过时间长点，，，温度在此基础上升高的话，，，需要的时间就越来越短。。。

当然你只需要10nm，更厚的话，，，可以用水热氧化，，，速度更快。。。。
赞一下 回复此楼
4楼2008-09-08 09:01:07
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