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Abskk木虫 (正式写手)
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【求助】如何在硅基片上生长二氧化硅?
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想在单晶硅(100)基片上生长二氧化硅,用普通的加热电阻炉可以吗? 若可以，是不是加热在1050度比较合适?时间跟加热速度该如何选择?文献讲,10nm的二氧化硅生长很快，普通的电阻炉很难精确控制其厚度,作为其他薄膜的缓冲或过度层,多厚比较合适?这个合适的厚度应该加热多长时间(升温速度及保温时间\加热温度)? 如这种热生长的方法不行, 该用什么方法比较合适? 向大家请教? [ Last edited by SHY31 on 2008-9-5 at 16:37 ] |
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