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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 压电铁电材料 » 功能陶瓷烧结
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GB小笨虫

木虫 (著名写手)

小笨虫
有可能是你的氧化钡促进析晶，其促进析晶的效果把促进液相产生的效果掩盖了。你可以通过两者xrd图的峰强度或者直接计算结晶度含量，然后做比较。

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做人简单，做事勤奋。
11楼2015-09-09 09:08:33
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圣手门徒

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by GB小笨虫 at 2015-09-09 09:08:33
有可能是你的氧化钡促进析晶，其促进析晶的效果把促进液相产生的效果掩盖了。你可以通过两者xrd图的峰强度或者直接计算结晶度含量，然后做比较。

氧化钡？还是二氧化硅促进析晶？

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12楼2015-09-09 22:17:09
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GB小笨虫

木虫 (著名写手)

小笨虫

【答案】应助回帖

引用回帖:
12楼: Originally posted by 圣手门徒 at 2015-09-09 22:17:09
氧化钡？还是二氧化硅促进析晶？
...

推测是氧化钡促进析晶，晶粒变的致密，同时析晶速度升高，尺寸变大。可以做几个不同温度的差热分析。
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做人简单，做事勤奋。
13楼2015-09-09 23:13:25
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圣手门徒

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by GB小笨虫 at 2015-09-09 23:13:25
推测是氧化钡促进析晶，晶粒变的致密，同时析晶速度升高，尺寸变大。可以做几个不同温度的差热分析。...

我没有氧化钡，是氧化硼。比较疑问的是：为什么SiO2过量为什么产生了大量气孔
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14楼2015-09-10 08:53:04
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匿名

木虫 (小有名气)
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15楼2015-09-10 10:51:10
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createer

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
10楼: Originally posted by 圣手门徒 at 2015-09-09 08:46:55
原材料是ZnO和SiO2，ZnO和SiO2反应生成了Zn2SiO4，但是我加了很过量的SiO2 ，推测过量SiO2应该是以富Si形式存在，不应该说是液相。具体是什么富Si状态，为什么过量SiO2会生成气孔推测不出来

你的气孔和过量的sio2并无关系，大量气孔可能来源于ZnO的升华挥发。二氧化硅多的时候液相少，导致ZnO升华是主因。前面有人的说法基本同意：“加入的B2O3与反应物中的SiO2可形成硼硅玻璃相，此玻璃相的形成不仅抑制了两者各自的挥发 ”，增加了ZnO与其它物质的反应，抑制了气孔形成。
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16楼2015-09-10 14:50:08
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圣手门徒

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
15楼: Originally posted by 王忠阳 at 2015-09-10 10:51:10
这个和液相的量有关系的，少量的时候，阻碍了传质，致密度降低，液相量多的时候，会增加致密度。另外通过SEM可以观察你的样品是否有带状来确定其中是否有液相。

第一张图片中的晶粒应该是主相Zn2SiO4,那些类似于液相的东西，应该是富Si的物质，好像不是带状。
你说的少量液相会阻碍传质，这个有类似的例子吗？液相一般不都市促进烧结，促进致密的吗？
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17楼2015-09-10 15:20:37
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圣手门徒

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
16楼: Originally posted by createer at 2015-09-10 14:50:08
你的气孔和过量的sio2并无关系，大量气孔可能来源于ZnO的升华挥发。二氧化硅多的时候液相少，导致ZnO升华是主因。前面有人的说法基本同意：“加入的B2O3与反应物中的SiO2可形成硼硅玻璃相，此玻璃相的形成不仅抑制 ...

ZnO是可以和SiO2反应生成Zn2SiO4的，压制陶瓷片之前我已经预烧了，预烧粉体中只有Zn2SiO4和过量的SiO2。我再用预烧粉烧纸成的陶瓷片，所以陶瓷片中的气孔不大可能是ZnO升华产生的
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18楼2015-09-10 15:27:53
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asd583905820

新虫 (初入文坛)
弱弱地问一句，升温曲线设计是否合理？升温过快，气孔过早封闭就会…

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19楼2015-09-11 01:22:51
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圣手门徒

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
19楼: Originally posted by asd583905820 at 2015-09-11 01:22:51
弱弱地问一句，升温曲线设计是否合理？升温过快，气孔过早封闭就会…

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20楼2015-09-11 09:09:42
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