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圣手门徒铁杆木虫 (正式写手)
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陶瓷烧结过程中，加入过量的SiO2,烧结成的陶瓷致密度下降厉害，成瓷效果不明显，断面SEM图有很多气孔（不明白，为什么SiO2过量，为什么会产生气孔）。感觉是过量的SiO2加入后，SiO2以液相形式存在（SiO2过量，可是 XRD未检测到，推测其以液相存在），引入了过量的液相导致的。可奇怪的是，加入B2O3后，气孔消失，陶瓷变得致密，烧结温度也有所降低。加入B2O3，B2O3是低熔点氧化物，按理说加入了更多的液相，为什么液相量加多了，气孔消失了。 加入过量的SiO2，大量气孔  再加入B2O3，气孔大幅度减少 |
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 烧结 |
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3楼2015-09-07 08:45:33
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
圣手门徒: 金币+2, ★★★很有帮助 2015-09-07 12:42:56
感谢参与，应助指数 +1
圣手门徒: 金币+2, ★★★很有帮助 2015-09-07 12:42:56
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你好！对于你提供的这些结果，我有一些见解可供你参考。 首先，在你采用的烧结过程中，若SiO2成为了液相，那么烧结温度至少已达到1700摄氏度以上。液相产生本身将促进烧结过程，但你提到烧结样品的致密度反而先讲了。个人认为此现象可能与反应烧结气氛相关。你没有提到你的烧结气氛，即若烧结气氛为还原性气氛，则二氧化硅SiO2将被还原成为一氧化硅（Si0）。Si0的气化温度相对较低，将挥发逸出而产生通孔即气孔，从而降低烧结产品的致密度。 其次，你提到加入了B2O3后烧结产品的致密度提升。这点与B2O3的低熔点特性并无矛盾。而你的实验结果的产生原因主要在于，加入的B2O3与反应物中的SiO2可形成硼硅玻璃相。此玻璃相的形成不仅抑制了两者各自的挥发，而且将有效地促进烧结过程的传质过程（晶界扩散等），从而显著提高了烧结产品的致密度。 最后，建议你在今后测定样品的相对致密度时遵循以下原则。在可确定理论致密度的情况下，采用标准的阿基米德法；若理论致密度无法准确测定（例如你目前采用的这种挥发物较多且复杂的体系），可借助显微结构观察的方法，但在抛光表面进行观察有利于更准确地表征气孔的形态和分布状况。 |
4楼2015-09-07 10:42:09
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5楼2015-09-07 12:42:22