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关于GaN外延片上ITO层的沉积问题 已有1人参与
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原来ITO层是用电子束蒸发做的,最近试着改用溅射沉积ITO层。 结果做出来的ITO层电阻变小,透过率也升高了,但是,芯片的Vf却上升了,甚至还有部分样品上升很大。 整个前工艺段除了沉积方式不同其他都一样,ITO厚度也一样。 希望有经验的大神能指点下,可能是哪方面的问题?不甚感激! |
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3楼2015-08-03 08:03:14
bytianping
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2楼2015-07-31 20:26:34
bytianping
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4楼2015-08-03 15:05:31
5楼2015-08-03 22:21:24














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