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五百姐姐

铜虫 (初入文坛)

[求助] 关于GaN外延片上ITO层的沉积问题 已有1人参与

原来ITO层是用电子束蒸发做的，最近试着改用溅射沉积ITO层。

结果做出来的ITO层电阻变小，透过率也升高了，但是，芯片的Vf却上升了，甚至还有部分样品上升很大。

整个前工艺段除了沉积方式不同其他都一样，ITO厚度也一样。

希望有经验的大神能指点下，可能是哪方面的问题？不甚感激！
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1楼 2015-07-31 17:05:02
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bytianping

金虫 (正式写手)
沉积温度一样吗？
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Thescientistisnotapersonwhogivestherightanswers,he'sonewhoaskstherightquestions.--ClaudeLévi-Strauss
2楼2015-07-31 20:26:34
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五百姐姐

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by bytianping at 2015-07-31 20:26:34
沉积温度一样吗？

蒸发的时候温度高一点，溅射时不加热。
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3楼2015-08-03 08:03:14
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bytianping

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
五百姐姐: 金币+10, ★★★很有帮助, 应该就是层主说的问题。感谢指点 2015-08-03 22:23:18
引用回帖:
3楼: Originally posted by 五百姐姐 at 2015-08-03 09:03:14
蒸发的时候温度高一点，溅射时不加热。...

温度对欧姆接触影响很大，温度提高往往会减小接触电阻的。ITO本身电阻更小不代表接触电阻就小，就算长个金属电极也会有欧姆接触问题。此外，表面态也很重要，例如同样的条件下，光刻胶剥离后露出的表面欧姆接触会变差。
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Thescientistisnotapersonwhogivestherightanswers,he'sonewhoaskstherightquestions.--ClaudeLévi-Strauss
4楼2015-08-03 15:05:31
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五百姐姐

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by bytianping at 2015-08-03 15:05:31
温度对欧姆接触影响很大，温度提高往往会减小接触电阻的。ITO本身电阻更小不代表接触电阻就小，就算长个金属电极也会有欧姆接触问题。此外，表面态也很重要，例如同样的条件下，光刻胶剥离后露出的表面欧姆接触会变 ...

感谢！再求教一下，如果在不加热的前提下，有什么其他手段能改善接触电阻吗？
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5楼2015-08-03 22:21:24
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bytianping

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
五百姐姐: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2015-08-05 09:54:21
引用回帖:
5楼: Originally posted by 五百姐姐 at 2015-08-03 23:21:24
感谢！再求教一下，如果在不加热的前提下，有什么其他手段能改善接触电阻吗？...

退火是最简单有效的方法，只是条件需要自己摸索。此外常用的还有一种方法不需要加热，即表面掺杂（尤其针对高阻材料）。电阻高（载流子低）的情况下欧姆接触很困难，往往形成表面势垒。表面掺杂可提高表面载流子浓度，形成隧道电流以改善欧姆接触。例如我以前做的ZnO，在表面长一层很薄的Al掺杂ZnO（AZO），可以轻松与任何金属得到良好的欧姆接触，否则只能退火。对于你做的GaN芯片，表面有很多种方式引入载流子，具体看实验条件吧。
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Thescientistisnotapersonwhogivestherightanswers,he'sonewhoaskstherightquestions.--ClaudeLévi-Strauss
6楼2015-08-05 03:56:20
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五百姐姐

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by bytianping at 2015-08-05 03:56:20
退火是最简单有效的方法，只是条件需要自己摸索。此外常用的还有一种方法不需要加热，即表面掺杂（尤其针对高阻材料）。电阻高（载流子低）的情况下欧姆接触很困难，往往形成表面势垒。表面掺杂可提高表面载流子浓 ...

感谢指点。因为对工艺步骤数有严格要求，所以引入载流子只能作为最后的备用方案了。似乎必须要重新研究下退火的工艺条件了。
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7楼2015-08-05 09:54:14
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