| 查看: 333 | 回复: 0 | ||
wuyanl2013木虫 (职业作家)
|
[求助]
MOS器件的理论C-V计算的具体过程
|
| 看了不少文献，对于MOS器件的理论C-V曲线描述都很少，不具体，只能从已知的参数：氧化层厚度，掺杂浓度，得到几个特殊点，Cmin， Cmax,无法得到所谓的理论C-V曲线，文献中都直接给出，不知到具体的过程，哪位大神了解，望解答疑惑，万分感谢！！！！ |
回复此楼» 猜你喜欢
东南大学能源与环境学院-林日琛课题组-26级博士招生
已经有19人回复
-
东南大学能源与环境学院-林日琛课题组-26级博士招生
已经有22人回复
-
电气科学与工程论文润色/翻译怎么收费?
已经有261人回复
-
大家觉得主持一项自然基金面上项目和国家重点研发项目的课题哪个认可度高？
已经有17人回复
-
26申博求助
已经有0人回复
-
请问自然基金重点项目是必须针对指南里列的项目申请吗？
已经有0人回复
-
sci投稿求助
已经有5人回复
-
老男孩计划2026年读博申请
已经有3人回复
-
2026英国女王大学机械学院电池储能CSC全奖博士招聘
已经有10人回复
-
2026英国女王大学机械学院电池储能CSC全奖博士招聘
已经有1人回复
-
华南农业大学蒋恩臣教授、许细薇教授团队招聘生物质领域博士、硕士
已经有2人回复
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
为什么mos器件在线性区有一最大跨导值？
已经有4人回复
- 用Agilent 4294A测试MOS C-V的具体操作步骤
已经有6人回复
- 【分享】量化软件 - 输运相关 (zz)
已经有13人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人