| 查看: 370 | 回复: 0 | ||
wuyanl2013木虫 (职业作家)
|
[求助]
MOS器件的理论C-V计算的具体过程
|
| 看了不少文献，对于MOS器件的理论C-V曲线描述都很少，不具体，只能从已知的参数：氧化层厚度，掺杂浓度，得到几个特殊点，Cmin， Cmax,无法得到所谓的理论C-V曲线，文献中都直接给出，不知到具体的过程，哪位大神了解，望解答疑惑，万分感谢！！！！ |
回复此楼» 猜你喜欢
德国回国后的感想
已经有0人回复
-
中国劳动关系学院资源与环境（安全工程领域）专业硕士研究生尚有可调剂名额
已经有1人回复
-
电气科学与工程论文润色/翻译怎么收费?
已经有132人回复
-
非全博士求助
已经有18人回复
-
申请博士求职
已经有1人回复
-
IEEE TBME期刊综述投稿周期求助
已经有0人回复
-
为什么旋转测试台跑了几个月，传感器数据开始出现周期性漂移？
已经有0人回复
-
【机械】从机床防水到正压防护：如何解决高精度旋转平台的“进水失准”死局？
已经有0人回复
-
经验分享】涉水/水下实验频频翻车？扒一扒高精度防水转台的硬核密封逻辑
已经有0人回复
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
为什么mos器件在线性区有一最大跨导值？
已经有4人回复
- 用Agilent 4294A测试MOS C-V的具体操作步骤
已经有6人回复
- 【分享】量化软件 - 输运相关 (zz)
已经有13人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人
50