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声表面波滤波器(SAW filter)之叉指换能器(IDT)设计,大家有什么好的建议没。
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本人想设计一种比较简单的声表面波器件,通过器件性能测试来表征AlN压电薄膜的压电系数d33、机电耦合系数等基本参数,但偶对器件设计设计基本是一窍不通,毕竟不是这个专业的(俺是搞材料的),不知道如何设计mask、光刻工艺等等后续加工步骤。 初步构想是,IDT指宽1μm,指间距等于指宽,指采用Al膜,厚度200nm,和微电子所老师沟通采用负胶(但他们毕竟不是做SAW的,没有给出过多的建议), 那么问题来了,试样大小一般10*10mm(比较小),多片(大概5、6片吧,厚度基本一致) 1、一般指对数一般用多少(30对合适吗)? 2、指间重叠区域的长度有什么原则? 3、两边的吸声材料一般选择什么材料,如何设计形状位置、沉积工艺等? 4、引出的电极一般如何设计?选用材料、引出位置、长度等? 5、输入端与输出端IDT之间的间隔一般多远? 6、若想同时对多个衬底表面进行掩膜、光刻,而微电子所一般采用2.5inch的板,如何排布我的试样,可以保证表面基本处于同一水平位置? 7、其他未尽事宜,也请大家多多补充,给出建议。 Note:此贴也算是对IDT设计的综合帖靶,希望大家踊跃发言,可能的话,对以后关注这方面的人也能提供点帮助,不要心疼我的金币,跟帖越多金币越多哦。 |
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不好意思哈,我不是做SAW模拟的,只是单纯设计做个器件测试性能的,不过我可以给你推荐清华大学潘峰团队,他们是做材料,好像也有模拟,你可以去那边试试 发自小木虫Android客户端 |
25楼2015-09-24 15:29:17
简单回复
Walnut19楼
2015-06-04 23:06
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zbnet(金币+1): 谢谢参与
? [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]












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