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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 求教：化合物半导体为什么本身就是N型或者P型
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蓝天下的人

木虫 (小有名气)

[交流] 求教：化合物半导体为什么本身就是N型或者P型

容易理解------对于元素半导体，如硅、锗，通过掺杂五价或三价元素，可使之由本征型成为N型或者P型半导体。对于化合物半导体本身，如二氧化钛，是型半导体-----这个如何理解呢，谢谢回复！
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1楼 2015-05-31 22:16:00
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zhangzhiguang

至尊木虫 (文坛精英)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蓝天下的人: 金币+1, 谢谢回复 2015-06-01 08:25:44
纯半导体不存在。半导体在生成的时候基本上是偏往某一型的，比较多的是N型。
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好好学习,天天向上!
2楼2015-05-31 22:19:39
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syhorchid
★
蓝天下的人: 金币+1, 谢谢关注 2015-06-01 08:30:35
3楼2015-05-31 22:42:22
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蓝天下的人

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zhangzhiguang at 2015-05-31 22:19:39
纯半导体不存在。半导体在生成的时候基本上是偏往某一型的，比较多的是N型。

谢谢！能不能举例说明一下: 如硅元素本征半导体，晶格中的Si原子被P原子替换后，成为电子给体，由些使之成为N型。那么化合物半导体呢，我想知道为什么是N型或P型。
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4楼2015-06-01 08:30:21
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bytianping

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蓝天下的人: 金币+2, 很专业的解释 2015-06-01 21:16:23
简单地说是由于化合物半导体的本征缺陷（元素空位，间隙等）导致的。例如ZnO的氧空位缺陷很容易形成，且很难补偿掉，因此ZnO一般都会是n型导电。又比如CuI，Cu空位缺陷很容易形成，于是CuI往往是p型导电。宏观而言化学计量比也许并没有偏离或偏离很少，但微观缺陷类型决定了导电特性。
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Thescientistisnotapersonwhogivestherightanswers,he'sonewhoaskstherightquestions.--ClaudeLévi-Strauss
5楼2015-06-01 18:02:26
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蓝天下的人

木虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by bytianping at 2015-06-01 18:02:26
简单地说是由于化合物半导体的本征缺陷（元素空位，间隙等）导致的。例如ZnO的氧空位缺陷很容易形成，且很难补偿掉，因此ZnO一般都会是n型导电。又比如CuI，Cu空位缺陷很容易形成，于是CuI往往是p型导电。宏观而言化 ...

谢谢回复
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6楼2015-06-01 21:16:32
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萌恋娟

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
5楼: Originally posted by bytianping at 2015-06-01 18:02:26
简单地说是由于化合物半导体的本征缺陷（元素空位，间隙等）导致的。例如ZnO的氧空位缺陷很容易形成，且很难补偿掉，因此ZnO一般都会是n型导电。又比如CuI，Cu空位缺陷很容易形成，于是CuI往往是p型导电。宏观而言化 ...

by君你好，请问半导体的pn型怎么掺杂才能改变呢？像你说的氧空位和Cu空位这方面的知识是怎么得到的，为什么知道Cu空位缺陷容易形成，然后是p型呢？见笑了~求指教！
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7楼2015-10-06 17:18:33
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windsuk2011

金虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蓝天下的人: 金币+1, 谢谢 2015-10-06 21:01:57
一般情况下，金属和非金属形成化合物，金属原子空位往往是p型的，因为其空位周围的非金属原子易得到电子，如ZnO中Zn空位产生后，锌氧键断裂，氧容易俘获电子，所以锌空位是受主型缺陷。相反，非金属原子空位往往是n型，是施主，原因是一样的。而对于间隙类缺陷也可以用相同的方法去分析。以上都只是一般情况。

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8楼2015-10-06 18:40:54
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yousyunnsei

捐助贵宾 (职业作家)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蓝天下的人: 金币+1, 谢谢回复 2015-10-25 20:25:50
化合物半导体除了具有N-Type,P-Tyte，还有半绝缘Type。就是纯度高，高电阻类型。
赞一下(1人) 回复此楼
使人成熟的不是岁月，而是经历。
9楼2015-10-24 16:44:35
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