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态密度图（DOS）该如何分析？ 已有2人参与
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最近用CASTEP计算了某n型半导体材料的态密度图，因为是第一次接触该类问题，有一些疑问想请教各位高手。 （1）结果表明随晶格常数的增加，价带态密度升高，而且导带底向低能方向偏移（即禁带变窄）； （2）光电敏感性测试表明，晶格常数大的样品性能最好。 光电敏感性越高，说明光照过程中产生的光生载流子越多，而光生载流子浓度主要受材料的能带结构控制。我目前得到的结果是价带态密度高的材料光电敏感性最好，这该怎么解释呢？请各位高手指教！谢谢！ |
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