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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 有没有人采用CVD制备MoS2薄膜的进来交流一下
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00丢丢

铜虫 (初入文坛)

[交流] 有没有人采用CVD制备MoS2薄膜的进来交流一下 已有11人参与

实验屡战屡败，屡败屡战。在线等大神
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薄膜制备与特性 CVD二维材料

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1楼 2015-04-15 10:54:42
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because...

新虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
680度成功制备，30微米左右，屡试不爽

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9楼2015-04-16 15:15:09
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普通回帖

jl597769833

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我也是，做了好多次都失败了！
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2楼2015-04-15 12:30:53
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00丢丢

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by jl597769833 at 2015-04-15 12:30:53
我也是，做了好多次都失败了！

聊一聊你们大概的工艺条件步骤，

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3楼2015-04-15 14:18:27
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00丢丢

铜虫 (初入文坛)
目前为止我有采用750度和700读时的，采用MoO3和S共蒸发。以二氧化硅作为基片，我考虑过平放在钼源下游也考虑过扣在坩埚上了。反应结果在二氧化硅表面用光学显微镜没能看到光斑。能看到一点MoO3的黄点点

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4楼2015-04-15 17:05:10
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homebaby

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
温度太低了，我以前做过，650度左右是在基片上制备二氧化钼模板，反应时间为20min左右   温度要再升高到850度反应3h，开始生成二硫化钼。
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5楼2015-04-16 07:57:23
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yueelan

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
4楼: Originally posted by 00丢丢 at 2015-04-15 17:05:10
目前为止我有采用750度和700读时的，采用MoO3和S共蒸发。以二氧化硅作为基片，我考虑过平放在钼源下游也考虑过扣在坩埚上了。反应结果在二氧化硅表面用光学显微镜没能看到光斑。能看到一点MoO3的黄点点
...

你的温度是不是太高了？ 我们实验室的就用200多度啊
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就算整个世界都被寂寞绑票我也不会逃跑
6楼2015-04-16 10:18:12
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00丢丢

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by yueelan at 2015-04-16 10:18:12
你的温度是不是太高了？ 我们实验室的就用200多度啊...

呵呵200度能反应吗？

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7楼2015-04-16 10:50:35
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yueelan

木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
7楼: Originally posted by 00丢丢 at 2015-04-16 10:50:35
呵呵200度能反应吗？
...

只要S升华了就可以发生置换反应了。
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就算整个世界都被寂寞绑票我也不会逃跑
8楼2015-04-16 15:09:39
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00丢丢

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by because... at 2015-04-16 15:15:09
680度成功制备，30微米左右，屡试不爽

大神啊，能详细点聊聊工艺参数吗

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10楼2015-04-16 16:50:51
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