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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 有没有人采用CVD制备MoS2薄膜的进来交流一下
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yueelan

木虫 (著名写手)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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7楼: Originally posted by 00丢丢 at 2015-04-16 10:50:35
呵呵200度能反应吗？
...

不好意思，搞错了。200多的是气压。280mpar
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就算整个世界都被寂寞绑票我也不会逃跑
11楼2015-04-17 09:49:44
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because...

新虫 (小有名气)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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10楼: Originally posted by 00丢丢 at 2015-04-16 16:50:51
大神啊，能详细点聊聊工艺参数吗
...

我用的是双温区的炉子

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12楼2015-04-17 16:32:52
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fyl1989

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
一般来说，你要那样制备不成功的原因是因为在氧化硅衬底上不好形成让硫化钼成膜并且生长的成核点，你可以试试像文章中那样用seed，或是生长之前对氧化硅表面进行一下处理，使表面活性增加，这样的话会比较好成核
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13楼2015-04-17 21:11:35
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because...

新虫 (小有名气)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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13楼: Originally posted by fyl1989 at 2015-04-17 21:11:35
一般来说，你要那样制备不成功的原因是因为在氧化硅衬底上不好形成让硫化钼成膜并且生长的成核点，你可以试试像文章中那样用seed，或是生长之前对氧化硅表面进行一下处理，使表面活性增加，这样的话会比较好成核

请问大神表面处理后长出来多大啊？我没用处理的，但是总长不大，还有，一般反应多久啊？

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14楼2015-04-17 22:53:26
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好吧，笨鸟

新虫 (初入文坛)
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4楼: Originally posted by 00丢丢 at 2015-04-15 17:05:10
目前为止我有采用750度和700读时的，采用MoO3和S共蒸发。以二氧化硅作为基片，我考虑过平放在钼源下游也考虑过扣在坩埚上了。反应结果在二氧化硅表面用光学显微镜没能看到光斑。能看到一点MoO3的黄点点
...

楼主，MoO3的黄点点是怎样的？能描述一下或上张图嘛？
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Growth and characteristic of 2D materials
15楼2015-04-18 17:47:30
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fyl1989

金虫 (正式写手)
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14楼: Originally posted by because... at 2015-04-17 22:53:26
请问大神表面处理后长出来多大啊？我没用处理的，但是总长不大，还有，一般反应多久啊？
...

我不是大神...也是在做这个课题而已，都是新手，长出来的大小不定，看你反应时间，源的用量，衬底与源之间的距离等这些因素，如果按文献里时间一般都是10-15mins，不过还要具体看你的设备和实验条件，不过没有seed或特殊处理的时候不太容易长大。
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16楼2015-04-18 19:10:29
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dancy1987

木虫 (正式写手)
我最近也开始用CVD生长MoS2了，刚建立一个群，CVD二硫化钼 160101386，希望大家都进来交流一下。
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做一个有心人！
17楼2015-06-26 10:40:23
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dancy1987

木虫 (正式写手)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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9楼: Originally posted by because... at 2015-04-16 15:15:09
680度成功制备，30微米左右，屡试不爽

我最近也开始用CVD生长MoS2了，刚建立一个群，CVD二硫化钼 160101386，希望大家都进来交流一下。
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做一个有心人！
18楼2015-06-26 10:41:04
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dancy1987

木虫 (正式写手)
大家好，本人刚开始接触CVD制备MoS2，在实验中却遇到很多的问题，各种参数真的很难调控，重复性也很差。我相信应该还有很多人都一直为此而困扰。因此为了方便大家交流，我建立一个群，CVD二硫化钼，160101386，希望大家都进来交流一下。
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做一个有心人！
19楼2015-07-01 21:41:54
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ouyuu2

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
钼靶溅射，H2S气体做氧化源
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20楼2015-07-07 17:12:39
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