版块导航: 正在加载中...

客户端APP下载

登录注册

应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

00丢丢

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 79
帖子: 13
在线: 4.8小时
虫号: 3615722
注册: 2014-12-27
性别: GG
专业: 半导体材料

[交流] 有没有人采用CVD制备MoS2薄膜的进来交流一下已有11人参与

实验屡战屡败，屡败屡战。在线等大神

» 猜你喜欢

金属材料论文润色/翻译怎么收费? 已经有271人回复

1楼2015-04-15 10:54:42

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

because...

新虫 (小有名气)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 91.3
帖子: 67
在线: 74.1小时
虫号: 2900351
注册: 2013-12-28
专业: 凝聚态物性I:结构、力学和

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

引用回帖:

13楼: Originally posted by fyl1989 at 2015-04-17 21:11:35
一般来说，你要那样制备不成功的原因是因为在氧化硅衬底上不好形成让硫化钼成膜并且生长的成核点，你可以试试像文章中那样用seed，或是生长之前对氧化硅表面进行一下处理，使表面活性增加，这样的话会比较好成核

请问大神表面处理后长出来多大啊？我没用处理的，但是总长不大，还有，一般反应多久啊？

[ 发自小木虫客户端 ]

14楼2015-04-17 22:53:26

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

查看全部 23 个回答

jl597769833

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 0.5
帖子: 8
在线: 6.9小时
虫号: 2832418
注册: 2013-11-27
性别: GG
专业: 电路与系统

★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

我也是，做了好多次都失败了！

2楼2015-04-15 12:30:53

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

00丢丢

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 79
帖子: 13
在线: 4.8小时
虫号: 3615722
注册: 2014-12-27
性别: GG
专业: 半导体材料

引用回帖:

2楼: Originally posted by jl597769833 at 2015-04-15 12:30:53
我也是，做了好多次都失败了！

聊一聊你们大概的工艺条件步骤，

[ 发自小木虫客户端 ]

3楼2015-04-15 14:18:27

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

00丢丢

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 79
帖子: 13
在线: 4.8小时
虫号: 3615722
注册: 2014-12-27
性别: GG
专业: 半导体材料

目前为止我有采用750度和700读时的，采用MoO3和S共蒸发。以二氧化硅作为基片，我考虑过平放在钼源下游也考虑过扣在坩埚上了。反应结果在二氧化硅表面用光学显微镜没能看到光斑。能看到一点MoO3的黄点点

[ 发自小木虫客户端 ]

4楼2015-04-15 17:05:10

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

查看全部 23 个回答