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dwysd
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专业: 半导体材料
引用回帖:
20楼
:
Originally posted by
雾之祥
at 2015-04-06 14:46:21
根据我们的分析,我们先这样认为可以吗:N1s在396-398 eV的峰均为金属氮化物的峰,暂定此峰为Zn-N峰。
O1s峰为529 eV,基本上应该是金属氧化物,也就是Zn-O,531 eV处的肩峰,暂不予考虑。
至于您提到的 Zn ...
N/O比例接近1:1,请见19楼的回复。
另,如果可能,请提供每次刻蚀后的XPS数据。
我说的刻蚀后全谱是指,应该在每次刻蚀后,先扫全谱,确定测试区存在哪些元素,然后在对存在的元素特征峰进行高分辨扫描。
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21楼
2015-04-06 21:15:29
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专业: 半导体晶体与薄膜材料
引用回帖:
21楼
:
Originally posted by
dwysd
at 2015-04-06 21:15:29
N/O比例接近1:1,请见19楼的回复。
另,如果可能,请提供每次刻蚀后的XPS数据。
我说的刻蚀后全谱是指,应该在每次刻蚀后,先扫全谱,确定测试区存在哪些元素,然后在对存在的元素特征峰进行高分辨扫描。...
数据可以提供。我已经站内信给您,方便您先加我个QQ吗?如果您感觉不方便的话,您可以在加我QQ后几天内再把我拖入黑名单也无所谓,感觉QQ上聊更方便些。当然,前提是在您方便的时候。
不知道这样的要求是不是有些唐突,如果您感到诸多不适,我们可以小木虫上继续探讨。
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22楼
2015-04-07 00:13:35
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