24小时热门版块排行榜    

查看: 3149  |  回复: 22
当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖

雾之祥

至尊木虫 (著名写手)

[求助] XPS半定量计算问题求解。 已有2人参与

看了小木虫一些资料,也算有所收获。再次衷心感谢那些付出过的虫友,也知道了XPS顶多是在surface层面进行的半定量计算。但现在小弟仍有些不明白之处,还望打什么赐教。

比方说,现在有一合成薄膜Cu3N,合成过程中如果有微量的O进去了。现在小弟想计算一下O/N比。小弟也窄扫了O1s和N1s。以及Cu 2p。O1s在530eV左右可以分为两个峰,N1s本来就两个峰(窄扫),但用XPS PEAK分峰后,O1s处的峰面积比N1s两个峰面积之和还高几倍。这是咋回事呢?XRD扫描结果显示,样品中几乎都是Cu3N啊。按照灵敏度因子计算还不成CuO或Cu2O了?

因为N-Cu也是结合的,这可以从Cu 2p窄扫图上一目了然,那么这部分N不算到正体N含量里面去吗?(也就是说这部分N不该加到灵敏度因子计算法的分子分母上去吗?)

也不知道我能否将我自己的问题表述清楚,如有不太明白问题的可以联系我。真的很期待大家的积极发言。
回复此楼
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

dwysd

木虫 (著名写手)

引用回帖:
16楼: Originally posted by 雾之祥 at 2015-04-06 10:22:56
恩恩!!谢谢大神赐教。

还是那个前提,我的样品扫描过程不对,我就已我同学的样品继续说明啊!

对不起啊,我在12楼贴出的附件是原始数据,我用XPS Peak软件,也计算了峰面积。(其实从原始数据上看,我赞同 ...

看了数据,我没有亲自算面积,可能是y轴尺度不一样,所以目测误差较大,暂且认为你算的面积是对的。
根据N1s的情况,由于存在2个峰,所以N元素存在2种化学态。395.2 eV的峰,在XPS手册中和NIST数据库中均没有此峰位,因此怀疑测试时没有进行峰位校正。N1s在396-398 eV的峰均为金属氮化物的峰,怀疑此峰为Zn-N峰。403.6 eV处的N1s峰怀疑为亚硝酸盐的峰,也就是O-N=O中的N,至于为什么会形成亚硝酸根,估计是Zn3N2在空气中自发氧化生成Zn-O和Zn-O-N=O。
Zn 2p3/2峰,由于XPS手册中和NIST数据库中均没有Zn-N峰位,而Zn-O峰为在1022 eV左右,暂时不好说这是Zn-O还是Zn-N还是Zn-O-N=O,况且峰位还没有校正。
O1s峰为529 eV,基本上应该是金属氧化物,也就是Zn-O,531 eV处的肩峰,猜测是O-N=O。
综合看,的确是ZnO和Zn3N2共存,至于相互比例,可以具体算算。

一个重要的条件我们没有考虑,那就是溅射刻蚀条件及溅射刻蚀后的全谱。同时,溅射刻蚀是否具有选择性刻蚀,也不清楚,对于Zn-N和Zn-O,是否存在选择性刻蚀,如果Zn-N的刻蚀速率高于Zn-O,那么也会导致Zn-N测试结果偏低。

应提供溅射刻蚀条件!

对于Zn3N2和CuN,如果易于在空气中自发氧化,可以在测XRD时进行固定时间间隔多次测试,如没1h测试一次,看看其氧化速度如何,如果氧化速度很快,导致XPS测试出现这样的结果,也不足为奇。
18楼2015-04-06 13:33:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 23 个回答

dwysd

木虫 (著名写手)

没图没数据,无法分析。
2楼2015-04-02 16:35:21
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雾之祥

至尊木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by dwysd at 2015-04-02 16:35:21
没图没数据,无法分析。

很抱歉啊,本人还暂时不太会上图。

大体意思其实也不难,就是沉积膜应该是Cu3N,溅射腔中的真空要求几乎没有O存在,但想要完全排除空气中的O又不是那么现实,XRD显示几乎是纯相 的Cu3N。但XPS结果,在用离子枪轰击表面后,O1s的峰面积仍然高出N1s峰面积好几倍。我的意思是这样的话利用灵敏度因子计算的话,都可以得出差不多是Cu3NxOy这样类似的化合物,且y>x好多。不是吗?

不知道我这样说能否让您明白?
3楼2015-04-03 15:52:10
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

geqingqin

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
雾之祥: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢赐教,还有些问题可以深究一下吗?我在回复中请教。一点金币聊表心意啊!! 2015-04-04 00:49:09
XPS因为是电子能谱手段,探测的是最后出射的电子信息,电子在材料内部逃逸深度在几个nm的尺度,因此XPS技术探测深度在几个nm到10个nm左右。而你制备的样品如果没有好好保存的话,基本上都会有很严重的表面C、O污染。所以你看到的这些C、O含量很有可能并不是你材料本身含有的,是表面污染。

而你如果做EDS、XRD等技术探测的是出射X光信息,在材料表面逃逸深度达到微米尺度,因此探测深度在几个微米甚至更深,就不会出现这些问题。

有时候,人们以为 XPS测试的时候需要加入元素碳(284.6eV)作为内标,这是不对的。C并不是做XPS的时候加入的,XPS测试不会往样品上加任何东西。这部分C是因为你样品保存或者转移过程中污染引入的。
我为回答问题而来
4楼2015-04-03 21:02:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
信息提示
请填处理意见