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XPS半定量计算问题求解。 已有2人参与
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看了小木虫一些资料,也算有所收获。再次衷心感谢那些付出过的虫友,也知道了XPS顶多是在surface层面进行的半定量计算。但现在小弟仍有些不明白之处,还望打什么赐教。 比方说,现在有一合成薄膜Cu3N,合成过程中如果有微量的O进去了。现在小弟想计算一下O/N比。小弟也窄扫了O1s和N1s。以及Cu 2p。O1s在530eV左右可以分为两个峰,N1s本来就两个峰(窄扫),但用XPS PEAK分峰后,O1s处的峰面积比N1s两个峰面积之和还高几倍。这是咋回事呢?XRD扫描结果显示,样品中几乎都是Cu3N啊。按照灵敏度因子计算还不成CuO或Cu2O了? 因为N-Cu也是结合的,这可以从Cu 2p窄扫图上一目了然,那么这部分N不算到正体N含量里面去吗?(也就是说这部分N不该加到灵敏度因子计算法的分子分母上去吗?) 也不知道我能否将我自己的问题表述清楚,如有不太明白问题的可以联系我。真的很期待大家的积极发言。 |
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恩恩!!谢谢大神赐教。 还是那个前提,我的样品扫描过程不对,我就已我同学的样品继续说明啊! 对不起啊,我在12楼贴出的附件是原始数据,我用XPS Peak软件,也计算了峰面积。(其实从原始数据上看,我赞同您的意思:N 1s 峰面积远大于O 1s 峰面积),但也不知道是我分析的不对,还是怎么回事,我分析出来的N1s 面积为2796.586, O1s 面积为:3055.055(此面积还不算主峰旁边的那个小伴峰)。详情分析过程请见附件。 这样下来,即使N的灵敏度因子0.477,也小于O的0.711,算下来,差不多N/O=1:1。我感觉也不太对啊,O含量真的不能这么多吧。快50%了? 还有您的分析我都表示很赞同。在我的样品和他的样品cases中的确如您所说“这是一种动态背底,由于O的化学活性远高于N,因此Zn首先与O反应,过剩的Zn才与N反应” 都不稳定,我们的样品,的确可以生成CuO或ZnO,但我们一般都是做完XRD立刻进行XPS扫描。时间不会隔很久。XRD显示均是Zn3N2相。所以我才很困惑啊。 请教大神帮忙解惑啊。 |
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本内容由用户自主发布,如果其内容涉及到知识产权问题,其责任在于用户本人,如对版权有异议,请联系邮箱:xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : XPS分析.doc
2015-04-06 10:22:53, 74.5 K
16楼2015-04-06 10:22:56
dwysd
木虫 (著名写手)
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2楼2015-04-02 16:35:21
3楼2015-04-03 15:52:10
【答案】应助回帖
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感谢参与,应助指数 +1
雾之祥: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢赐教,还有些问题可以深究一下吗?我在回复中请教。一点金币聊表心意啊!! 2015-04-04 00:49:09
感谢参与,应助指数 +1
雾之祥: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢赐教,还有些问题可以深究一下吗?我在回复中请教。一点金币聊表心意啊!! 2015-04-04 00:49:09
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XPS因为是电子能谱手段,探测的是最后出射的电子信息,电子在材料内部逃逸深度在几个nm的尺度,因此XPS技术探测深度在几个nm到10个nm左右。而你制备的样品如果没有好好保存的话,基本上都会有很严重的表面C、O污染。所以你看到的这些C、O含量很有可能并不是你材料本身含有的,是表面污染。 而你如果做EDS、XRD等技术探测的是出射X光信息,在材料表面逃逸深度达到微米尺度,因此探测深度在几个微米甚至更深,就不会出现这些问题。 有时候,人们以为 XPS测试的时候需要加入元素碳(284.6eV)作为内标,这是不对的。C并不是做XPS的时候加入的,XPS测试不会往样品上加任何东西。这部分C是因为你样品保存或者转移过程中污染引入的。 |

4楼2015-04-03 21:02:53












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