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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量？
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-23 10:10:28
个人觉得不是很可能，而且你只要从高真空取出来表面就会吸附空气中水的，测得出来测不出来都可以理解，测氢基本就是质谱一类的，而且最好做原位检测
...

是的，这样子就算测出来也没有说服力，非常感谢您的帮助，我觉得还是从另外角度分析了，不测H了。
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知足常跪。
11楼2015-03-23 10:35:34
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
9楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-23 10:10:28
个人觉得不是很可能，而且你只要从高真空取出来表面就会吸附空气中水的，测得出来测不出来都可以理解，测氢基本就是质谱一类的，而且最好做原位检测
...

我后来也看了些文献，H含量可以用SIMS测出来的，文献上看到H含量还是比较高的，只是现在测H比较贵就没做。
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知足常跪。
12楼2015-04-21 09:05:15
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
引用回帖:
12楼: Originally posted by 秦羽重楼 at 2015-04-21 09:05:15
我后来也看了些文献，H含量可以用SIMS测出来的，文献上看到H含量还是比较高的，只是现在测H比较贵就没做。...

嗯，不是太准了，需要考虑的太多，只是可以测，看说明啥问题需要了

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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13楼2015-04-21 09:18:14
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小木虫cc

新虫 (初入文坛)
请问用什么玻璃

发自小木虫Android客户端
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14楼2018-01-31 14:47:34
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