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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

[求助] 如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量?已有3人参与

在玻璃衬底上磁控溅射生长了一层金属氧化物IGZO薄膜(靶材IGZO,通Ar/O2),向各位请教用什么方法测量薄膜中氢含量?

本人初到论坛,还望各位前辈赐教。万谢!
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

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2楼: Originally posted by 蔡超 at 2015-03-20 13:47:51
可以考虑用一下电子显微分析,比如EDS等。

首先感谢您的回复,我也查了下,有人说EDS对于原子量小的轻元素很难测出来,并且准确性不高,XPS也不行,可以用核磁共振NMR来测。
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3楼2015-03-20 15:30:21
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

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4楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-20 19:33:01
开玩笑啊。。H原子一点信号都没有的,eds的window都是Be的,所以Be以前的元素没可能检测的了...

那请问您,对于H原子这种轻原子,用什么方法能相对准确的测出其含量呢?
知足常跪。
7楼2015-03-23 09:47:30
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

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5楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-20 19:34:55
IGZO不是个金属氧化物么,为啥要测H啊,溅射薄膜的话NMR不好测嗯,可以考虑SIMS不过也不太能定量...

理论上磁控溅射生长的IGZO薄膜是没有H原子的,但玻璃衬底上应该有水分子,在真空腔里抽真空后可能还残有水分子,溅射过程中H原子可能嵌在薄膜里,我也只是猜的,至于含量我想肯定很小,能不能测出来还是个问题,精度高不高也是个问题。感谢您的回复!
知足常跪。
8楼2015-03-23 10:04:46
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

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6楼: Originally posted by yuan999 at 2015-03-22 20:36:48
考虑ICP看看,具体技术问题问问测试老师

谢谢您的回复,ICP测量范围不是B~U吗?我越感觉我现在要测那微量的H意义不大了。
知足常跪。
10楼2015-03-23 10:27:49
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秦羽重楼

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9楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-23 10:10:28
个人觉得不是很可能,而且你只要从高真空取出来表面就会吸附空气中水的,测得出来测不出来都可以理解,测氢基本就是质谱一类的,而且最好做原位检测
...

是的,这样子就算测出来也没有说服力,非常感谢您的帮助,我觉得还是从另外角度分析了,不测H了。
知足常跪。
11楼2015-03-23 10:35:34
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秦羽重楼

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9楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-23 10:10:28
个人觉得不是很可能,而且你只要从高真空取出来表面就会吸附空气中水的,测得出来测不出来都可以理解,测氢基本就是质谱一类的,而且最好做原位检测
...

我后来也看了些文献,H含量可以用SIMS测出来的,文献上看到H含量还是比较高的,只是现在测H比较贵就没做。
知足常跪。
12楼2015-04-21 09:05:15
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