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如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量?
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秦羽重楼
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如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量?
已有3人参与
在玻璃衬底上磁控溅射生长了一层金属氧化物IGZO薄膜(靶材IGZO,通Ar/O2),向各位请教用什么方法测量薄膜中氢含量?
本人初到论坛,还望各位前辈赐教。万谢!
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1楼
2015-03-20 10:32:32
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蔡超
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2015-03-20 15:30:17
可以考虑用一下电子显微分析,比如EDS等。
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2楼
2015-03-20 13:47:51
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2楼
:
Originally posted by
蔡超
at 2015-03-20 13:47:51
可以考虑用一下电子显微分析,比如EDS等。
首先感谢您的回复,我也查了下,有人说EDS对于原子量小的轻元素很难测出来,并且准确性不高,XPS也不行,可以用核磁共振NMR来测。
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3楼
2015-03-20 15:30:21
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2楼
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Originally posted by
蔡超
at 2015-03-20 13:47:51
可以考虑用一下电子显微分析,比如EDS等。
开玩笑啊。。H原子一点信号都没有的,eds的window都是Be的,所以Be以前的元素没可能检测的了
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4楼
2015-03-20 19:33:01
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3楼
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Originally posted by
秦羽重楼
at 2015-03-20 15:30:21
首先感谢您的回复,我也查了下,有人说EDS对于原子量小的轻元素很难测出来,并且准确性不高,XPS也不行,可以用核磁共振NMR来测。...
IGZO不是个金属氧化物么,为啥要测H啊,溅射薄膜的话NMR不好测嗯,可以考虑SIMS不过也不太能定量
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5楼
2015-03-20 19:34:55
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很有帮助, 谢谢
2015-03-23 10:29:40
考虑ICP看看,具体技术问题问问测试老师
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6楼
2015-03-22 20:36:48
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4楼
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gxytju2008
at 2015-03-20 19:33:01
开玩笑啊。。H原子一点信号都没有的,eds的window都是Be的,所以Be以前的元素没可能检测的了...
那请问您,对于H原子这种轻原子,用什么方法能相对准确的测出其含量呢?
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7楼
2015-03-23 09:47:30
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gxytju2008
at 2015-03-20 19:34:55
IGZO不是个金属氧化物么,为啥要测H啊,溅射薄膜的话NMR不好测嗯,可以考虑SIMS不过也不太能定量...
理论上磁控溅射生长的IGZO薄膜是没有H原子的,但玻璃衬底上应该有水分子,在真空腔里抽真空后可能还残有水分子,溅射过程中H原子可能嵌在薄膜里,我也只是猜的,至于含量我想肯定很小,能不能测出来还是个问题,精度高不高也是个问题。感谢您的回复!
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8楼
2015-03-23 10:04:46
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很有帮助, 感谢
2015-03-23 10:35:47
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8楼
:
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秦羽重楼
at 2015-03-23 10:04:46
理论上磁控溅射生长的IGZO薄膜是没有H原子的,但玻璃衬底上应该有水分子,在真空腔里抽真空后可能还残有水分子,溅射过程中H原子可能嵌在薄膜里,我也只是猜的,至于含量我想肯定很小,能不能测出来还是个问题,精 ...
个人觉得不是很可能,而且你只要从高真空取出来表面就会吸附空气中水的,测得出来测不出来都可以理解,测氢基本就是质谱一类的,而且最好做原位检测
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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9楼
2015-03-23 10:10:28
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yuan999
at 2015-03-22 20:36:48
考虑ICP看看,具体技术问题问问测试老师
谢谢您的回复,ICP测量范围不是B~U吗?我越感觉我现在要测那微量的H意义不大了。
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2015-03-23 10:27:49
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