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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量？
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)

[求助] 如何测量金属氧化物半导体IGZO薄膜中H含量？ 已有3人参与

在玻璃衬底上磁控溅射生长了一层金属氧化物IGZO薄膜（靶材IGZO，通Ar/O2），向各位请教用什么方法测量薄膜中氢含量?

本人初到论坛，还望各位前辈赐教。万谢！
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知足常跪。
1楼 2015-03-20 10:32:32
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小木虫cc

新虫 (初入文坛)
请问用什么玻璃

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14楼2018-01-31 14:47:34
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蔡超

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
秦羽重楼: 金币+5, ★★★很有帮助, 谢谢你啊。 2015-03-20 15:30:17
可以考虑用一下电子显微分析，比如EDS等。

[ 发自小木虫客户端 ]
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2楼2015-03-20 13:47:51
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秦羽重楼

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 蔡超 at 2015-03-20 13:47:51
可以考虑用一下电子显微分析，比如EDS等。

首先感谢您的回复，我也查了下，有人说EDS对于原子量小的轻元素很难测出来，并且准确性不高，XPS也不行，可以用核磁共振NMR来测。
赞一下 回复此楼
知足常跪。
3楼2015-03-20 15:30:21
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 蔡超 at 2015-03-20 13:47:51
可以考虑用一下电子显微分析，比如EDS等。

开玩笑啊。。H原子一点信号都没有的，eds的window都是Be的,所以Be以前的元素没可能检测的了
赞一下 回复此楼
4楼2015-03-20 19:33:01
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