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自旋非极化与自旋极化的pdos问题
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forestwolf9291
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自旋非极化与自旋极化的pdos问题
已有2人参与
vasp计算某体系
1. 考虑自旋极化时,优化,静态计算,非静态计算得到的pdos如图(a)(b)所示,其中(a)为两个自旋态的态密度分布,(b)为两者的sum,(a)和(b)说明体系是半导体;
2. 不考虑自旋极化时,优化,静态计算,非静态计算得到的pdos如图(c)所示,说明体系是金属性
结果是矛盾的,如何解释,或计算的哪里出了问题?请教各位,顺便提前给虫友们拜个早年
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2015-02-13 23:51:32
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专业: 凝聚态物性 II :电子结构
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感谢参与,应助指数 +1
forestwolf9291: 金币+10,
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最佳答案, 明白了,谢谢
2015-02-14 13:32:06
我觉得首先对于一个自旋体系不加自旋的结果本身就有问题,然后是看带隙应该看总dos看pdos是不是也有问题。
[ 发自小木虫客户端 ]
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选择放弃只为保留尊严
2楼
2015-02-14 07:42:04
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KalaShayminS
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最佳答案, 谢谢解惑
2015-02-14 13:32:36
如果计算本身没问题,则说明这个体系的基态是自旋极化的半导体,非自旋极化计算不是真的基态,不需要考虑。
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3楼
2015-02-14 13:10:04
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