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化学刻蚀法刻硅纳米线 已有2人参与
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大家好： 我在用化学刻蚀法做硅纳米线，原来用的刻蚀液为0.035mol/L的AgNO3溶液与20wt%的HF酸的混合液，常温刻蚀3h，以前的硅片电阻率<0.1Ω•cm,浓硝酸去银后可以刻出硅纳米线，现在买的新硅片其他的参数都一样就是电阻率变小了为0.001-0.005，在放在浓硝酸里去银时把硅片炸出来了，稀释后再去银的结果就是硅片上没有线。请大家指导指导！不胜感激！ |
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5楼2017-04-11 16:41:30
yswyx 
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2楼2015-01-29 17:02:45
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3楼2015-03-04 09:17:10
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4楼2017-03-24 14:33:54
