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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 离子注入对栅极多晶硅，和mos器件的影响。
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致命强袭

铜虫 (初入文坛)

[求助] 离子注入对栅极多晶硅，和mos器件的影响。 已有1人参与

制作cmos器件工艺中，有一种工艺是先将多晶硅放到选择区上面，中间隔着一层薄氧，然后才进行离子注入形成有源区。我想知道，离子注入时多晶硅上方是否有保护措施防止其受到注入离子的影响。如果有，是什么在保护栅极。如果没有，为什么要这样做，这样对多晶硅极其器件有什么影响？谢谢
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1楼 2015-01-14 18:09:19
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阳光下的星星

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
致命强袭: 金币+1, ★有帮助 2015-01-16 16:02:13
有，中间隔着的那一层氧会氧化表面的硅形成二氧化硅，二氧化硅就在起作用
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那些繁华哀伤终成过往，请不要失望，平凡是为了最美的荡气回肠
2楼2015-01-15 11:34:30
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致命强袭

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 阳光下的星星 at 2015-01-15 11:34:30
有，中间隔着的那一层氧会氧化表面的硅形成二氧化硅，二氧化硅就在起作用

我已经问了老师，他说是没有保护的。不过还是谢谢你！
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3楼2015-01-16 16:00:52
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