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离子注入对栅极多晶硅，和mos器件的影响。 已有1人参与
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| 制作cmos器件工艺中，有一种工艺是先将多晶硅放到选择区上面，中间隔着一层薄氧，然后才进行离子注入形成有源区。我想知道，离子注入时多晶硅上方是否有保护措施防止其受到注入离子的影响。如果有，是什么在保护栅极。如果没有，为什么要这样做，这样对多晶硅极其器件有什么影响？谢谢 |
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