| 查看: 988 | 回复: 2 | |||
[求助]
离子注入对栅极多晶硅，和mos器件的影响。 已有1人参与
|
| 制作cmos器件工艺中，有一种工艺是先将多晶硅放到选择区上面，中间隔着一层薄氧，然后才进行离子注入形成有源区。我想知道，离子注入时多晶硅上方是否有保护措施防止其受到注入离子的影响。如果有，是什么在保护栅极。如果没有，为什么要这样做，这样对多晶硅极其器件有什么影响？谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
299求调剂
已经有8人回复
-
一志愿北京理工大学本科211材料工程294求调剂
已经有6人回复
-
300求调剂，材料科学英一数二
已经有8人回复
-
招收生物学/细胞生物学调剂
已经有5人回复
-
070305高分子化学与物理 304分求调剂
已经有7人回复
-
289求调剂
已经有13人回复
-
一志愿哈尔滨工业大学材料与化工方向336分
已经有9人回复
-
081200-11408-276学硕求调剂
已经有6人回复
-
调剂求院校招收
已经有5人回复
-
调剂310
已经有8人回复
阳光下的星星
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 14 (小学生)
- 金币: 7251.6
- 散金: 2310
- 红花: 14
- 沙发: 63
- 帖子: 2269
- 在线: 333.3小时
- 虫号: 1493352
- 注册: 2011-11-15
- 性别: MM
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
2楼2015-01-15 11:34:30
3楼2015-01-16 16:00:52
