3楼: Originally posted by papaverme at 2015-01-08 18:16:12
可以包埋、减薄，制成截面的TEM样品，然后STEM+EDS或者EELS。

4楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-08 20:05:50
离子枪结合XPS吧，SIMS不定量的，半定量用XPS，透射感觉意义不大，Si的话可以XPS看价态不同来区分

12楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-09 13:48:03
谢谢。
以前用SIMS测过Si和C的，但是那个是特殊情况，相对含量能计算出来。
现在物质是Si和玻璃按照一定比例曲线混合的，玻璃里面杂质含量有太多。
但是想测量深度方向的Si和玻璃含量比，这里sims貌似就不好用了 ...

10楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-09 13:44:36
谢谢，这个我也问过别人，但是貌似说XPS的剥离速率很慢什么的...

13楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-09 14:36:07
XPS和SIMS差不多的，只不过一个是离子信号一个是光电子，都是表面信号，一微米以下还是可以做的，只不过刻蚀时间是会长一点，但是测一个系列一天肯定也能做完了应该...

14楼: Originally posted by dwysd at 2015-01-09 15:04:06
2kV条件下，每分钟5-10nm，还慢么？如果是金属材料，还要快几1、2倍。...

16楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-14 15:49:22
学校只有tof-sims，操作员告诉我测不出si和siO2的相对含量，或者说非常不准确。
XPS是有的，我就是不晓得能用不...

18楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-14 15:59:11
SIMS定量需要有标准样品校正的，一般情况很难做定量确实，去问下吧，我想不到啥好办法了...