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kevin123581

金虫 (正式写手)

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3楼: Originally posted by papaverme at 2015-01-08 18:16:12
可以包埋、减薄,制成截面的TEM样品,然后STEM+EDS或者EELS。

谢谢
11楼2015-01-09 13:45:05
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kevin123581

金虫 (正式写手)

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4楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-08 20:05:50
离子枪结合XPS吧,SIMS不定量的,半定量用XPS,透射感觉意义不大,Si的话可以XPS看价态不同来区分

谢谢。
以前用SIMS测过Si和C的,但是那个是特殊情况,相对含量能计算出来。
现在物质是Si和玻璃按照一定比例曲线混合的,玻璃里面杂质含量有太多。
但是想测量深度方向的Si和玻璃含量比,这里sims貌似就不好用了。
XPS我没用过,但是听说玻璃速率很慢,厚度大一点的话(比如400nm/800nm)会很慢,而且会损坏设备什么的?
12楼2015-01-09 13:48:03
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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12楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-09 13:48:03
谢谢。
以前用SIMS测过Si和C的,但是那个是特殊情况,相对含量能计算出来。
现在物质是Si和玻璃按照一定比例曲线混合的,玻璃里面杂质含量有太多。
但是想测量深度方向的Si和玻璃含量比,这里sims貌似就不好用了 ...

XPS和SIMS差不多的,只不过一个是离子信号一个是光电子,都是表面信号,一微米以下还是可以做的,只不过刻蚀时间是会长一点,但是测一个系列一天肯定也能做完了应该
13楼2015-01-09 14:36:07
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dwysd

木虫 (著名写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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10楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-09 13:44:36
谢谢,这个我也问过别人,但是貌似说XPS的剥离速率很慢什么的...

2kV条件下,每分钟5-10nm,还慢么?如果是金属材料,还要快几1、2倍。
14楼2015-01-09 15:04:06
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mzhyan

至尊木虫 (文坛精英)

blessing
15楼2015-01-09 15:12:08
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kevin123581

金虫 (正式写手)

引用回帖:
13楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-09 14:36:07
XPS和SIMS差不多的,只不过一个是离子信号一个是光电子,都是表面信号,一微米以下还是可以做的,只不过刻蚀时间是会长一点,但是测一个系列一天肯定也能做完了应该...

学校只有tof-sims,操作员告诉我测不出si和siO2的相对含量,或者说非常不准确。
XPS是有的,我就是不晓得能用不
16楼2015-01-14 15:49:22
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kevin123581

金虫 (正式写手)

引用回帖:
14楼: Originally posted by dwysd at 2015-01-09 15:04:06
2kV条件下,每分钟5-10nm,还慢么?如果是金属材料,还要快几1、2倍。...

我是si和玻璃混合的。非金属。
不过这个速率还是可以接受的,谢谢
17楼2015-01-14 15:51:34
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
16楼: Originally posted by kevin123581 at 2015-01-14 15:49:22
学校只有tof-sims,操作员告诉我测不出si和siO2的相对含量,或者说非常不准确。
XPS是有的,我就是不晓得能用不...

SIMS定量需要有标准样品校正的,一般情况很难做定量确实,去问下吧,我想不到啥好办法了
18楼2015-01-14 15:59:11
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kevin123581

金虫 (正式写手)

引用回帖:
18楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-01-14 15:59:11
SIMS定量需要有标准样品校正的,一般情况很难做定量确实,去问下吧,我想不到啥好办法了...

恩,我用过一次tof-sims,那个特殊情况,操作员说可以做。这个他直接说基本不靠谱,所以我来问下。
XPS我没做过,但是上面有人说可以测价态的深度剖析,看起来比sims可行性大多了。等xps操作员回来我去问下,谢谢了
19楼2015-01-16 16:38:40
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