| 查看: 858 | 回复: 3 | ||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||
学习娃子新虫 (初入文坛)
|
[求助]
PZT薄膜中的缺陷导电问题 已有1人参与
|
|||
|
在PZT薄膜中，铅挥发后的薄膜内部存在很多铅空位，会形成负电中心 ，为保 持电中 性，会产生带正电的氧空位 ， 使薄膜成为 p 型导电膜，这句话怎么理解啊 Pb空位的形成会导致空穴导电，但是O空位不是会形成电子导电吗，这个怎么回事P型导电，求高手解答，万分感谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
太原科技大学材料科学与工程学院招收金属材料类博士一名
已经有18人回复
-
太原科技大学材料科学与工程学院招收金属材料类博士一名
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有97人回复
-
特殊环境先进金属材料山西省重点实验室接收硕士研究生调剂信息
已经有0人回复
-
特殊环境先进金属材料山西省重点实验室接收硕士研究生调剂信息
已经有0人回复
-
材料调剂
已经有9人回复
-
有没有友友懂埃洛石复合聚合物电解质呀
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 陶瓷表面出现凹坑
已经有20人回复
- 2014年度浙江省自然科学基金拟资助项目清单
已经有14人回复
- 关于无铅压电材料研究
已经有21人回复
- 几个关于气氛烧结的技术问题
已经有10人回复
- 【求助】电导激活能
已经有11人回复
学习娃子
新虫 (初入文坛)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 424.5
- 散金: 50
- 帖子: 34
- 在线: 19.2小时
- 虫号: 3317010
- 注册: 2014-07-10
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
3楼2015-01-07 14:37:54
caoxiafei
专家顾问 (著名写手)
研发工程师-Topcon/HJT电池
-
专家经验: +112 - 应助: 184 (高中生)
- 贵宾: 0.018
- 金币: 5035
- 散金: 6
- 红花: 23
- 帖子: 1218
- 在线: 434.3小时
- 虫号: 832355
- 注册: 2009-08-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
学习娃子: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-01-08 18:18:52
感谢参与，应助指数 +1
学习娃子: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-01-08 18:18:52
|
在半导体理论里没有这种说法，多数氧化物半导体呈n型或P型导电，是因为非化学计量缺陷、元素替位和非故意掺杂； 非化学计量很好理解，PZT中铅是+2价的，Pb挥发后，就会使PZT非化学计量，也就等于部分+2的Pb，转变为+4价的Pb，化学式变为Pb1-y（Zr0.5，Ti0.5）O3，薄膜为P型导电，这种在氧化物半导体中很多，如P型Cu2O里面存在Cu+2价，因此可写成Cu2-xO，n型TiO2，存在O空位，因为O只有-2价一种，因此得反过来想，存在Ti3+，写成TiO2-x； 然而，化合物中，有Pb空位，产生受主，也有可能有O空位，产生施主，这两种缺陷相互耦合抵消，因此理论上，惰性气体保护烧结，产生O空位，有利于降低PZT的导电性，降低漏电。 替位缺陷，Zr、Ti替位Pb，是施主，是否可行我不知道，也会使薄膜偏N型，抵消pb空位，使薄膜空穴减少！ 非故意掺杂，原材料纯度不够，引起外来离子的掺杂，N，P型要看杂质种类和数量。 |
2楼2015-01-07 13:35:46
caoxiafei
专家顾问 (著名写手)
研发工程师-Topcon/HJT电池
-
专家经验: +112 - 应助: 184 (高中生)
- 贵宾: 0.018
- 金币: 5035
- 散金: 6
- 红花: 23
- 帖子: 1218
- 在线: 434.3小时
- 虫号: 832355
- 注册: 2009-08-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
4楼2015-01-07 15:20:54
10