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学习娃子

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[求助] PZT薄膜中的缺陷导电问题已有1人参与

在PZT薄膜中，铅挥发后的薄膜内部存在很多铅空位，会形成负电中心，为保持电中性，会产生带正电的氧空位，使薄膜成为 p 型导电膜，这句话怎么理解啊

Pb空位的形成会导致空穴导电，但是O空位不是会形成电子导电吗，这个怎么回事P型导电，求高手解答，万分感谢！

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1楼 2015-01-07 11:30:11

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caoxiafei

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研发工程师-Topcon/HJT电池

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【答案】应助回帖

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学习娃子: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-01-08 18:18:52

在半导体理论里没有这种说法，多数氧化物半导体呈n型或P型导电，是因为非化学计量缺陷、元素替位和非故意掺杂；
非化学计量很好理解，PZT中铅是+2价的，Pb挥发后，就会使PZT非化学计量，也就等于部分+2的Pb，转变为+4价的Pb，化学式变为Pb1-y（Zr0.5，Ti0.5）O3，薄膜为P型导电，这种在氧化物半导体中很多，如P型Cu2O里面存在Cu+2价，因此可写成Cu2-xO，n型TiO2，存在O空位，因为O只有-2价一种，因此得反过来想，存在Ti3+，写成TiO2-x；
然而，化合物中，有Pb空位，产生受主，也有可能有O空位，产生施主，这两种缺陷相互耦合抵消，因此理论上，惰性气体保护烧结，产生O空位，有利于降低PZT的导电性，降低漏电。
替位缺陷，Zr、Ti替位Pb，是施主，是否可行我不知道，也会使薄膜偏N型，抵消pb空位，使薄膜空穴减少！
非故意掺杂，原材料纯度不够，引起外来离子的掺杂，N，P型要看杂质种类和数量。

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2楼2015-01-07 13:35:46

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引用回帖:

2楼: Originally posted by caoxiafei at 2015-01-07 13:35:46
在半导体理论里没有这种说法，多数氧化物半导体呈n型或P型导电，是因为非化学计量缺陷、元素替位和非故意掺杂；
非化学计量很好理解，PZT中铅是+2价的，Pb挥发后，就会使PZT非化学计量，也就等于部分+2的Pb，转变为 ...

谢谢哈，但是使PZT非化学计量，也就等于部分+2的Pb，转变为+4价的Pb，化学式变为Pb1-y（Zr0.5，Ti0.5）O3，薄膜为P型导电应该还是在体内形成了空穴是吧

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3楼2015-01-07 14:37:54

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