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学习娃子新虫 (初入文坛)
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PZT薄膜中的缺陷导电问题 已有1人参与
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在PZT薄膜中，铅挥发后的薄膜内部存在很多铅空位，会形成负电中心 ，为保 持电中 性，会产生带正电的氧空位 ， 使薄膜成为 p 型导电膜，这句话怎么理解啊 Pb空位的形成会导致空穴导电，但是O空位不是会形成电子导电吗，这个怎么回事P型导电，求高手解答，万分感谢！ |
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感谢参与，应助指数 +1
学习娃子: 金币+50, ★★★很有帮助 2015-01-08 18:18:52
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在半导体理论里没有这种说法，多数氧化物半导体呈n型或P型导电，是因为非化学计量缺陷、元素替位和非故意掺杂； 非化学计量很好理解，PZT中铅是+2价的，Pb挥发后，就会使PZT非化学计量，也就等于部分+2的Pb，转变为+4价的Pb，化学式变为Pb1-y（Zr0.5，Ti0.5）O3，薄膜为P型导电，这种在氧化物半导体中很多，如P型Cu2O里面存在Cu+2价，因此可写成Cu2-xO，n型TiO2，存在O空位，因为O只有-2价一种，因此得反过来想，存在Ti3+，写成TiO2-x； 然而，化合物中，有Pb空位，产生受主，也有可能有O空位，产生施主，这两种缺陷相互耦合抵消，因此理论上，惰性气体保护烧结，产生O空位，有利于降低PZT的导电性，降低漏电。 替位缺陷，Zr、Ti替位Pb，是施主，是否可行我不知道，也会使薄膜偏N型，抵消pb空位，使薄膜空穴减少！ 非故意掺杂，原材料纯度不够，引起外来离子的掺杂，N，P型要看杂质种类和数量。 |
2楼2015-01-07 13:35:46
学习娃子
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4楼2015-01-07 15:20:54
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