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【求助】费米能
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请问下常见的本征半导体Si、Ge或者掺杂半导体的费米能是多大 [ Last edited by gangdou1998 on 2008-6-4 at 14:48 ] |
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对对一定的半导体，费米能级与掺杂浓度有关。 对不同的半导体，费米能级不但与掺杂浓度有关，还与电子亲和势有关。 n型重掺半导体，可以使费米能级位于导带底附近，也可以越过导带； p型重掺半导体，可以使费米能级位于价带底附近，也可以越过价带； 相关的计算，要看刘恩科的《半导体物理》，这本书有人上传，搜一下就搜到了。 再者，Si的禁带宽度为1.11eV, 电子亲和势4.10eV；Ge的禁带宽度为0.66eV，电子亲和势4.13eV。（相关数据来自于西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》）禁带宽度也是一个十分中要的物理量. |
2楼2008-05-27 20:43:00
3楼2008-06-04 14:51:41
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对异质结(heterojunction)，在界面处能带弯曲，用的是耗尽层近似(即安德森模型)，耗尽层内电中性原理，然后利用泊松方程求解。 西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》中有详细介绍。 对异质结，两边的半导体材料有不同的介电常数，把泊松方程里的介电常数改过来就是了，还有为了满足电中性条件，还要把电中性等式里的介电常数也改过来：即 ε1Na=Ndε2 这样解两个泊松方程和上面的电中性条件，就可以了。 [ Last edited by forever on 2008-6-6 at 14:34 ] |
5楼2008-06-05 09:11:29
6楼2008-06-05 22:20:41
forever
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西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》 上面列的这本书不知道你看了没有，里面就有定量计算。 一般的书中，只计算一个p－n结的泊松方程，nN，pP的只给出一个结论，这就需要自己推导了。在这上面列出来就不方便了，最好还是看书。 能带上弯下弯，弯的程度如何，都可以根据由泊松方程给出定量的解释来，而且可以给出两边耗尽区的宽度，电场大小。载流子在耗尽区的分布。这些关键都在推倒，我列的书中就有的。 其实我上面的帖子，已经说得很详细了，上面就是说的根据刘恩科的《半导体物理》中从234页开始有推导，可以看看 [ Last edited by forever on 2008-6-6 at 15:46 ] |
7楼2008-06-06 14:46:33
