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【求助】费米能
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请问下常见的本征半导体Si、Ge或者掺杂半导体的费米能是多大 [ Last edited by gangdou1998 on 2008-6-4 at 14:48 ] |
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forever
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对异质结(heterojunction)，在界面处能带弯曲，用的是耗尽层近似(即安德森模型)，耗尽层内电中性原理，然后利用泊松方程求解。 西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》中有详细介绍。 对异质结，两边的半导体材料有不同的介电常数，把泊松方程里的介电常数改过来就是了，还有为了满足电中性条件，还要把电中性等式里的介电常数也改过来：即 ε1Na=Ndε2 这样解两个泊松方程和上面的电中性条件，就可以了。 [ Last edited by forever on 2008-6-6 at 14:34 ] |
5楼2008-06-05 09:11:29
forever
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对对一定的半导体，费米能级与掺杂浓度有关。 对不同的半导体，费米能级不但与掺杂浓度有关，还与电子亲和势有关。 n型重掺半导体，可以使费米能级位于导带底附近，也可以越过导带； p型重掺半导体，可以使费米能级位于价带底附近，也可以越过价带； 相关的计算，要看刘恩科的《半导体物理》，这本书有人上传，搜一下就搜到了。 再者，Si的禁带宽度为1.11eV, 电子亲和势4.10eV；Ge的禁带宽度为0.66eV，电子亲和势4.13eV。（相关数据来自于西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》）禁带宽度也是一个十分中要的物理量. |
2楼2008-05-27 20:43:00
3楼2008-06-04 14:51:41
suxilin111
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4楼2008-06-05 09:07:32
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