| 查看: 1109 | 回复: 6 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】费米能
|
|||
|
请问下常见的本征半导体Si、Ge或者掺杂半导体的费米能是多大 [ Last edited by gangdou1998 on 2008-6-4 at 14:48 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
请教限项目规定
已经有5人回复
-
拟解决的关键科学问题还要不要写
已经有8人回复
-
最失望的一年
已经有16人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有33人回复
-
求助一下有机合成大神
已经有3人回复
-
求推荐英文EI期刊
已经有5人回复
-
26申博
已经有3人回复
-
基金委咋了？2026年的指南还没有出来？
已经有10人回复
-
基金申报
已经有6人回复
-
疑惑？
已经有5人回复
forever
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 3203.2
- 散金: 25
- 帖子: 615
- 在线: 160小时
- 虫号: 108104
- 注册: 2005-11-18
- 性别: GG
- 专业: 光学
|
西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》 上面列的这本书不知道你看了没有，里面就有定量计算。 一般的书中，只计算一个p－n结的泊松方程，nN，pP的只给出一个结论，这就需要自己推导了。在这上面列出来就不方便了，最好还是看书。 能带上弯下弯，弯的程度如何，都可以根据由泊松方程给出定量的解释来，而且可以给出两边耗尽区的宽度，电场大小。载流子在耗尽区的分布。这些关键都在推倒，我列的书中就有的。 其实我上面的帖子，已经说得很详细了，上面就是说的根据刘恩科的《半导体物理》中从234页开始有推导，可以看看 [ Last edited by forever on 2008-6-6 at 15:46 ] |
7楼2008-06-06 14:46:33
forever
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 3203.2
- 散金: 25
- 帖子: 615
- 在线: 160小时
- 虫号: 108104
- 注册: 2005-11-18
- 性别: GG
- 专业: 光学
★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流
|
对对一定的半导体，费米能级与掺杂浓度有关。 对不同的半导体，费米能级不但与掺杂浓度有关，还与电子亲和势有关。 n型重掺半导体，可以使费米能级位于导带底附近，也可以越过导带； p型重掺半导体，可以使费米能级位于价带底附近，也可以越过价带； 相关的计算，要看刘恩科的《半导体物理》，这本书有人上传，搜一下就搜到了。 再者，Si的禁带宽度为1.11eV, 电子亲和势4.10eV；Ge的禁带宽度为0.66eV，电子亲和势4.13eV。（相关数据来自于西安电子科大 许长存老师的《半导体光电子技术》）禁带宽度也是一个十分中要的物理量. |
2楼2008-05-27 20:43:00
3楼2008-06-04 14:51:41
suxilin111
银虫 (初入文坛)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 465.8
- 帖子: 27
- 在线: 8.6小时
- 虫号: 457302
- 注册: 2007-11-12
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性I:结构、力学和
4楼2008-06-05 09:07:32