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mutong2011

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] Al2O3衬底上外延生长ZnO薄膜????疑问!!

看到了一些文章中利用PLD方法镀ZnO薄膜,但是多数情况下选择的是Al2O3衬底(0001)晶面。
Al2O3衬底上外延生长ZnO薄膜????疑问!!
图片1.png
但是查了一下两种材料的晶格常数(单位:埃):
ZnO:a=3.25, c=5.2
Al2O3:a=4.76;c=12.99

适配度非常大呀!!!不是说外延要求衬底跟薄膜适配度很小才行吗,这怎么解释?
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zhuzhen

木虫 (正式写手)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
mutong2011: 金币+1 2014-12-20 18:54:12
异质外延或多或少都有点失配,失配小的靠应变保持晶格一致,失配大的靠位错弛豫,也能生长晶向一致的薄膜。往往界面处很多缺陷,但是长厚之后就好很多。相似的GaN长在Al2O3上失配也大,但是现在做得好的军工级器件都有了,看几本异质外延的书就基本明白道理了。
3楼2014-12-20 11:02:08
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liujb1990

铜虫 (小有名气)

★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
mutong2011: 金币+1, 谢谢O(∩_∩)O哈哈~ 2014-12-18 16:07:11
我看文献上说,两者失配度大约是16%,还是可以做的
何处惹尘埃
2楼2014-12-18 12:16:58
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阿Q~~

至尊木虫 (文坛精英)

帮顶一下,不懂! ~~~~~~~~~~~~~
自强不息,厚德载物;独立精神,自由思想。
4楼2014-12-20 11:38:23
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mutong2011

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by zhuzhen at 2014-12-20 11:02:08
异质外延或多或少都有点失配,失配小的靠应变保持晶格一致,失配大的靠位错弛豫,也能生长晶向一致的薄膜。往往界面处很多缺陷,但是长厚之后就好很多。相似的GaN长在Al2O3上失配也大,但是现在做得好的军工级器件都 ...

谢谢^O^

[ 发自小木虫客户端 ]
5楼2014-12-20 18:43:57
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