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电子空穴对符合几率与光电流的关系 已有4人参与
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小弟最近在做TiO2纳米管阵列负载二氧化铈的复合材料，用的是电沉积法，按道理来说的话，TiO2纳米阵列在负载了二氧化铈以后，因为二氧化铈的带宽比较窄，在相同波长和光强的条件下受到光照，产生的光电流应该比纯二氧化钛阵列产生的光电流强度要高才对，但是实际情况是 负载之前2*3cm的二氧化钛阵列在附加0.4V的电压下用100mA/cm2的模拟太阳光照射后，产生的光电流大小大约为1.5mA，但是负载了二氧化铈以后光电流只有0.4mA，请问这是二氧化铈没负载上，操作出了问题，还是因为电子空穴对复合几率变大使得电流变小了呢？小弟第一次做材料合成，没有师兄师姐带，合成基础基本为零，全靠文献给的方法，如果有这方面的大手的话，求赐教啊！！！. 现在实验没法进行下去了，感觉硕士毕业遥遥无期 [ Last edited by MyTavel on 2014-12-17 at 17:59 ] |
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