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学术皮卡丘

铜虫 (初入文坛)

[求助] 电子空穴对符合几率与光电流的关系 已有4人参与

小弟最近在做TiO2纳米管阵列负载二氧化铈的复合材料,用的是电沉积法,按道理来说的话,TiO2纳米阵列在负载了二氧化铈以后,因为二氧化铈的带宽比较窄,在相同波长和光强的条件下受到光照,产生的光电流应该比纯二氧化钛阵列产生的光电流强度要高才对,但是实际情况是  负载之前2*3cm的二氧化钛阵列在附加0.4V的电压下用100mA/cm2的模拟太阳光照射后,产生的光电流大小大约为1.5mA,但是负载了二氧化铈以后光电流只有0.4mA,请问这是二氧化铈没负载上,操作出了问题,还是因为电子空穴对复合几率变大使得电流变小了呢?小弟第一次做材料合成,没有师兄师姐带,合成基础基本为零,全靠文献给的方法,如果有这方面的大手的话,求赐教啊!!!. 现在实验没法进行下去了,感觉硕士毕业遥遥无期

[ Last edited by MyTavel on 2014-12-17 at 17:59 ]
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Pikachu
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sxxysxwy

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

为啥我的电压设定是5V
我想要什么
2楼2015-01-15 10:31:20
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me0308

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

二氧化铈的厚度是有影响的,调整电沉积时间看看有什么变化,还有就是研究下二氧化钛和二氧化铈的导带价带相对位置关系
3楼2015-01-24 11:49:58
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weijian123

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

纳米管很容易被堵住,拍电镜了吗
加油你能行
4楼2015-03-01 21:16:30
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学术皮卡丘

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by weijian123 at 2015-03-01 21:16:30
纳米管很容易被堵住,拍电镜了吗

拍了电镜,负载时间长的话的确会堵住,但是时间较低时候纳米管形貌还是比较完整的,然后EDS也显示表面有ce的含量,但是只要负载了Ce,光电流就会降低就,跟文献说的截然相反
Pikachu
5楼2015-04-03 09:17:29
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weijian123

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

有些文献上的方法是做不出来的,你这篇在哪个杂志看的

[ 发自小木虫客户端 ]
加油你能行
6楼2015-04-03 14:20:03
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wuminshi

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by 学术皮卡丘 at 2015-04-03 09:17:29
拍了电镜,负载时间长的话的确会堵住,但是时间较低时候纳米管形貌还是比较完整的,然后EDS也显示表面有ce的含量,但是只要负载了Ce,光电流就会降低就,跟文献说的截然相反...

楼主,找到原因了吗?我做二氧化钛纳米管修饰其他东西也是,只要沉积上电流就没有基底大。

发自小木虫IOS客户端
7楼2017-04-08 12:35:58
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